金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
發(fā)布時(shí)間:2012/4/26 19:30:35 訪問次數(shù):1637
MOSFET的核心是由金屬一氧化物一半導(dǎo)體組ATF16V8B-15PU成的MOS結(jié)構(gòu)，其基本結(jié)構(gòu)是由MOS結(jié)構(gòu)和兩個(gè)背對(duì)背的PN結(jié)構(gòu)成。在P型硅襯底上生長(zhǎng)一厚度為tox的薄S102層，在氧化層上淀積金屬或摻雜多晶硅的導(dǎo)電層作為柵極，并在柵極兩側(cè)利用擴(kuò)散或離子注入的方法形成兩高摻雜N+區(qū)，分別稱為源區(qū)和漏區(qū)，其擴(kuò)散深度即PN結(jié)的結(jié)深為z，再在其上制作金屬導(dǎo)電層作為源極和漏極。源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域稱為溝道區(qū)。兩PN結(jié)結(jié)面之間的距離為MOSFET的溝道長(zhǎng)度。MOS器件種類多樣。在P型襯底上制作N+型源、漏區(qū)的，其導(dǎo)電溝道為N型，即輸運(yùn)電流的載流子是電子，稱為NMOS；而在N型襯底上制作P+源、漏區(qū)，以空穴導(dǎo)電，稱為PMOS。這是從導(dǎo)電載流子的極性來考慮，如從其工作方式來分，則有增強(qiáng)型和耗盡型兩種基本類型。增強(qiáng)型MOS指的是：當(dāng)柵極未加偏壓時(shí)，不存在導(dǎo)電溝道，也就沒有漏源電流，只有當(dāng)外加?xùn)烹妷捍笥谀骋惶囟ǖ闹担ㄩ撝惦妷海⿻r(shí)才會(huì)形成導(dǎo)電溝道的器件，稱為常閉型MOS( EMOS)；相反，耗犀型MOS指的是：當(dāng)MOSFET制成后就已形成導(dǎo)電溝道，只要有漏源電壓，不加?xùn)烹妷阂矔?huì)有漏源電流，即稱為常閉型MOS(EMOS)。理論上，NMOS和PMOS器件均有增強(qiáng)型和耗盡型之分。這就構(gòu)成了4種基本類型的MOSFET。由于它比JFET的溫度穩(wěn)定性好集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，而廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路之中。
MOSFET的核心是由金屬一氧化物一半導(dǎo)體組ATF16V8B-15PU成的MOS結(jié)構(gòu)，其基本結(jié)構(gòu)是由MOS結(jié)構(gòu)和兩個(gè)背對(duì)背的PN結(jié)構(gòu)成。在P型硅襯底上生長(zhǎng)一厚度為tox的薄S102層，在氧化層上淀積金屬或摻雜多晶硅的導(dǎo)電層作為柵極，并在柵極兩側(cè)利用擴(kuò)散或離子注入的方法形成兩高摻雜N+區(qū)，分別稱為源區(qū)和漏區(qū)，其擴(kuò)散深度即PN結(jié)的結(jié)深為z，再在其上制作金屬導(dǎo)電層作為源極和漏極。源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域稱為溝道區(qū)。兩PN結(jié)結(jié)面之間的距離為MOSFET的溝道長(zhǎng)度。MOS器件種類多樣。在P型襯底上制作N+型源、漏區(qū)的，其導(dǎo)電溝道為N型，即輸運(yùn)電流的載流子是電子，稱為NMOS；而在N型襯底上制作P+源、漏區(qū)，以空穴導(dǎo)電，稱為PMOS。這是從導(dǎo)電載流子的極性來考慮，如從其工作方式來分，則有增強(qiáng)型和耗盡型兩種基本類型。增強(qiáng)型MOS指的是：當(dāng)柵極未加偏壓時(shí)，不存在導(dǎo)電溝道，也就沒有漏源電流，只有當(dāng)外加?xùn)烹妷捍笥谀骋惶囟ǖ闹担ㄩ撝惦妷海⿻r(shí)才會(huì)形成導(dǎo)電溝道的器件，稱為常閉型MOS( EMOS)；相反，耗犀型MOS指的是：當(dāng)MOSFET制成后就已形成導(dǎo)電溝道，只要有漏源電壓，不加?xùn)烹妷阂矔?huì)有漏源電流，即稱為常閉型MOS(EMOS)。理論上，NMOS和PMOS器件均有增強(qiáng)型和耗盡型之分。這就構(gòu)成了4種基本類型的MOSFET。由于它比JFET的溫度穩(wěn)定性好集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，而廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路之中。
相關(guān)技術(shù)資料- 3-12電磁屏蔽
- 2-3熒光燈必須與鎮(zhèn)流器配合才能正常工作
- 8-23升壓型開關(guān)電源的結(jié)構(gòu)
- 4-26異質(zhì)結(jié)晶體管
- 4-26金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
熱門點(diǎn)擊
- TDMA技術(shù)
- 連接器的種類
- 安全網(wǎng)絡(luò)加密協(xié)議SNEP
- 外圍電路設(shè)計(jì)
- gcNMOS
- 多余物產(chǎn)生的原因分析及其控制
- 訪問控制技術(shù)
- 網(wǎng)絡(luò)安全性
- 高可靠性EEPROM單元設(shè)計(jì)
- 加速壽命試驗(yàn)
推薦技術(shù)資料
- 按鈕與燈的互動(dòng)實(shí)例
- 現(xiàn)在趕快去看看這個(gè)目錄卞有什么。FGA15N120AN... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
