干氧中加入少量HC1，HC1與Oz克分子比(6～8)%為佳，因?yàn)椋?BR>    ①高溫下Clz與Na+反應(yīng)可LMC555CM生成揮發(fā)性化合物隨尾氧排出。
    ②在Si-Si02界面處，Cl易集中，Cl與S102中固定電荷可形成Si-O-Cl絡(luò)合物，Na+會(huì)被絡(luò)合物中的Cl中性化。
    ③試驗(yàn)：標(biāo)準(zhǔn)Si02時(shí)AVFB≈6.4V;6%HC1、Sioz時(shí)△VFB≈O. 2V。
    Al203鈍化
    Al2 03鈍化對(duì)Na+有阻擋作用、可輻射性強(qiáng)，主要體現(xiàn)在：
    ①負(fù)電荷效應(yīng)。Al2 03-Si02界面偶極子電位差△VD，它可使平帶電壓為正值，故易于制作增強(qiáng)型NMOSFET。
    ②生長(zhǎng)Al2 03工藝。濺射法(RF、DC)、陽(yáng)極氧化（電介、等離子體）、輝光放電、CVD(水介法、熱分解法、有機(jī)鋁化合物氧化法)。

    氮化硅(S13 N4)鈍化
    氮化硅(Si3 N4)鈍化的好處有：
    ①對(duì)Na+有阻擋作用，抗輻射能力強(qiáng)。
    ②優(yōu)化結(jié)構(gòu)：Si-S102 -S13 N4、S102：(100 N1000)A、Si3 N4：(1500～3000)A、>3000A:龜裂。
    ③Si- Si3 N4界面陷阱密度高，故要用優(yōu)化結(jié)構(gòu)
    ④Si。N4難腐蝕，故通常用S102保護(hù)，在熱磷酸中腐蝕
    S13 N4沉積技術(shù)
    Si3 N4沉積技術(shù)的方法：
    ①直接氮化：3S1+2Nz，3S1+4NH3
    ②熱分解或CVD:SiCl4+NH3，S1F4 +NH3
    ③濺射：RF：3S1+N2（反應(yīng)濺射），S13 N4（非反應(yīng)濺射）；DC:同上
    ④輝光放電：RF，DC，S1H4+NH3，SiH4 +N2
    ⑤蒸發(fā)試驗(yàn)。采用下列方法進(jìn)行蒸發(fā)試驗(yàn)?zāi)苋〉幂^好效果：
    ·用Si3 N4鈍化二極管，其失效率降低8倍。
    ·用Si3 N4鈍化ECL電路，現(xiàn)場(chǎng)失效率可降到3×10-8／}1以下（比S102低5倍）。
    ·用Si3 N4鈍化COMSIC，在85℃，相對(duì)濕度85%，2000h，25支IC無(wú)一失效。