LED的正向電壓EPCS4SI8N降VF是1.5V（根據(jù)數(shù)據(jù)表），所以RL一220CI(約為(5V-1.5V)／15mA)(假定CMOS倒相器的輸出電壓是OV)。由于流過(guò)LED的電流大(15mA)，所以可以并聯(lián)接續(xù)CMOS倒相器，以提高負(fù)載的驅(qū)動(dòng)能力。
    圖8.28的電路中是用CMOS倒相器驅(qū)動(dòng)LED的陰極，所以當(dāng)輸入處于H電平時(shí)，光耦合器的晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，輸出H電平。希望反邏輯時(shí)，如圖8.29所示可以用CMOS倒相器驅(qū)動(dòng)LED的陽(yáng)極（這樣一來(lái)，當(dāng)輸人為H電平時(shí)，光耦合器的晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，所以輸出L電平）。

    圖8.30比較特殊，是一例將光耦合器用于恒壓電源的過(guò)電流檢出的電路。這個(gè)電路用串聯(lián)插入的3Q電阻RF檢出恒壓電源的輸出電流，通過(guò)它上面的電壓降使光耦合器PC812（夏普）的LED發(fā)光，從而獲得檢出信號(hào)。圖8.30中的電路常數(shù)是當(dāng)電源的輸出電流為500mA時(shí)過(guò)電流檢出輸出為L(zhǎng)電平。但是，由于光耦合器的CTR隨溫度和使用時(shí)間的變化大，所以輸出電流的檢出值不能夠準(zhǔn)確地設(shè)定為500mA(即使通過(guò)調(diào)整RF正確地設(shè)定了輸出電流，由于壞境溫度的變化或者長(zhǎng)期使用的原因也會(huì)使CTR變化，從而偏離設(shè)定值)。