前面看到的FET的源極LM2596T-3.3地放大電路是不是與雙極晶體管的發(fā)射極放大電路完全相同？
    實(shí)際上幾乎是完全相同的，只有一點(diǎn)差別，這就是雙極晶體管的基極一發(fā)射極間電壓V BE與FET的柵極一源極間電壓VGS在電壓、極性上有差別。
    這一點(diǎn)對(duì)于FET電路是非常重要的。只有搞清楚V GS究竟有多大，才能夠方便地像使用雙極晶體管那樣使用FET。
    下面將結(jié)合FET的工作原理，說明這個(gè)VGS的大小。
    雙極晶體管只有NPN和PNP兩種類型，F(xiàn)ET的分類則稍微復(fù)雜。
    如圖2.6所示，F(xiàn)ET按照結(jié)構(gòu)可以分為結(jié)型FET(JFET：Junction FET)和絕緣柵FET(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor FET)。

             
    按照電學(xué)特性，MOSFET又可以分為耗盡型(depletion)與增強(qiáng)型(enhance-ment)兩類。它們又可以進(jìn)一步分為N溝型（與雙極晶體管的NPN型相當(dāng)）和P溝型（與雙極晶體管的PNP型相當(dāng)）。
    從實(shí)際FET的型號(hào)中完全看不出JFET與MOSFET、耗盡型與增強(qiáng)型的區(qū)別。儀僅是N溝器件為2SK×××（也有雙柵的3SK×××），P溝器件為2SJ××X，以區(qū)別N溝和P溝器件。