圖2.7是FET簡LM224N單的的結(jié)構(gòu)示意圖（P溝FET是P型半導(dǎo)體部分與N型半導(dǎo)體部分互換）。

   (JFET工作時柵極與溝道間的二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，所以幾乎沒有電流流過柵極。MOSFET的柵極與溝道間有絕緣膜，電流的流動更困難)
    如圖2.8所示，雙極晶體管的基極一發(fā)射極間以及基極一集電極間分別是兩個PN結(jié)，就是說存在著二極管。JFET．的柵極與溝道（把輸出電路流過漏極一源極間的部分稱為溝道）間有PN結(jié)，所以認(rèn)為存在著二極管(由于有PN結(jié)，所以稱為結(jié)型FET)。（晶體管有兩個PN結(jié)�？梢园裀N結(jié)看作是二極管，晶體管可以認(rèn)為是基極一發(fā)射極間以及基極一集電極間各有一個二極管）
    雙極晶體管的基極一發(fā)射極間的二極管總是工作在導(dǎo)通狀態(tài)，而JFET的柵極一溝道間的二極管工作在截止?fàn)顟B(tài)。
    因此FET的柵極一溝道間流過的電流很小，只相當(dāng)于二極管的反向漏電流，所以器件本身的輸入阻抗比雙極晶體管高得多（約l08～1012Q）。

             
    MOSFET的柵極是由金屬構(gòu)成的，它與半導(dǎo)體溝道之間有一層絕緣膜，形成三層結(jié)構(gòu)。所謂MOS，就是因為實際的結(jié)構(gòu)是由金屬(M)、絕緣膜(如氧化膜，0)和半導(dǎo)體(S)組成。
    MOSFET的特點是柵極與溝道間有絕緣膜，柵極與溝道是絕緣的，所以流過柵極的電流比JFET還要小很多。因此，輸入阻抗也比JFET高得多(約l012～1014Q)。