圖2.12是LF411CN傳輸特性。MOSFET器件中除有與JFET相同的耗盡特性外，還有增強(qiáng)特性。
    對于N溝MOSFET，增強(qiáng)特性是指當(dāng)VGS不在正的電壓范圍時就沒有ID流過（P溝時VGS的極性相反）。
    MOSFET的耗盡特性與JFET的耗盡特性稍有不同，對于N溝器件即使VG。為正，fo仍持續(xù)流動(P溝情況下即使VG。為負(fù)，ID仍持續(xù)流動)。耗盡型MOSFET的IDSS不是漏極一源極間所流過的最大電流，只是VGS =OV時的漏極電流ID值。
    耗盡型MOSFET由于VGS =OV時仍有b流過（所謂Normally ON器件），所以很難應(yīng)用在開關(guān)電路或者功率放大電路中。但是，它的優(yōu)點是在高頻放大電路中容易構(gòu)成偏置電路，所以高頻放大用的MOSFET幾乎都是耗盡型的。
    對于VGs一OV時ID為零的增強(qiáng)型MOSFET(所謂Normally OFF器件)，如果把VBE當(dāng)成VGS，就可以采用與晶體管相同的偏置方法，所以可以與晶體管相互置換使用。
    目前，應(yīng)用于開關(guān)、調(diào)節(jié)器的開關(guān)器件或電動機(jī)驅(qū)動電路等功率放大電路的MOSFET(所謂的功率MOS)幾乎都是增強(qiáng)型器件。

             
    JFET能限制IDSS以土的漏極電流，具有電流限制作用。但是MOSFET，不論是耗盡型還是增強(qiáng)型，VGS愈大漏極電流愈大，所以沒有電流限制作用。