放大器類
發(fā)布時間:2013/9/20 18:00:12 訪問次數(shù):777
(1)寬帶直流放大器（第9屆，2009年）
設(shè)計并制作一個寬帶直流放大器及所用的直流穩(wěn)壓電源。M25P16-VMF6TP放大器的輸入電阻≥50 n，負(fù)載電阻(50±2)Q。最大電壓增益Av≥60 dB，輸入電壓有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB時，輸出端噪聲電壓的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通頻帶0～10 MHz；在0～9 MHz通頻帶內(nèi)增益起伏≤1 dB。最大輸出電壓正弦波有效值VO≥10 V，輸出信號波形無明顯失真。電壓增益Av可預(yù)置并顯示，預(yù)置范圍為0～60 dB，步距為5 dB(也可以連續(xù)調(diào)節(jié))；放大器的帶寬可預(yù)置并顯示（至少5 MHz、10 MHz兩點）。
(2)數(shù)字幅頻均衡功率放大器（第9屆，2009年）
設(shè)計并制作一個數(shù)字幅頻均衡功率放大器。該放大器包括前置放大、帶阻網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字幅頻均衡和低頻功率放大電路。前置放大電路電壓放大倍數(shù)不小于400倍(輸入正弦信號電壓有效值<10 mV)，-1 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz，輸出電阻為600 Q。制作功率放大電路，對數(shù)字均衡后的輸出信號進(jìn)行功率放大，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV、功率放大器接8 Q電阻負(fù)載時，要求輸出功率≥10 W，輸出電壓波形無明顯失真。功率放大電路的-3 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz。功率放大電路的效率≥60%。
(3)佤頻功率放大器（第9屆，2009年，高職高專組）
設(shè)計并制作一個低頻功率放大器，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。輸入電阻為600 Q，通頻帶為10 Hz～50 kHz。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV時，在8 Q電阻負(fù)載（一端接地）上，輸出功率≥5W，輸出波形無明顯失真。在通頻帶內(nèi)低頻功率放大器失真度<1%。設(shè)計一個帶阻濾波器，阻帶頻率范圍為40～60 Hz。在50 Hz頻率點輸出功率衰減≥6 dB。
設(shè)計并制作一個寬帶直流放大器及所用的直流穩(wěn)壓電源。M25P16-VMF6TP放大器的輸入電阻≥50 n，負(fù)載電阻(50±2)Q。最大電壓增益Av≥60 dB，輸入電壓有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB時，輸出端噪聲電壓的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通頻帶0～10 MHz；在0～9 MHz通頻帶內(nèi)增益起伏≤1 dB。最大輸出電壓正弦波有效值VO≥10 V，輸出信號波形無明顯失真。電壓增益Av可預(yù)置并顯示，預(yù)置范圍為0～60 dB，步距為5 dB(也可以連續(xù)調(diào)節(jié))；放大器的帶寬可預(yù)置并顯示（至少5 MHz、10 MHz兩點）。
(2)數(shù)字幅頻均衡功率放大器（第9屆，2009年）
設(shè)計并制作一個數(shù)字幅頻均衡功率放大器。該放大器包括前置放大、帶阻網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字幅頻均衡和低頻功率放大電路。前置放大電路電壓放大倍數(shù)不小于400倍(輸入正弦信號電壓有效值<10 mV)，-1 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz，輸出電阻為600 Q。制作功率放大電路，對數(shù)字均衡后的輸出信號進(jìn)行功率放大，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV、功率放大器接8 Q電阻負(fù)載時，要求輸出功率≥10 W，輸出電壓波形無明顯失真。功率放大電路的-3 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz。功率放大電路的效率≥60%。
(3)佤頻功率放大器（第9屆，2009年，高職高專組）
設(shè)計并制作一個低頻功率放大器，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。輸入電阻為600 Q，通頻帶為10 Hz～50 kHz。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV時，在8 Q電阻負(fù)載（一端接地）上，輸出功率≥5W，輸出波形無明顯失真。在通頻帶內(nèi)低頻功率放大器失真度<1%。設(shè)計一個帶阻濾波器，阻帶頻率范圍為40～60 Hz。在50 Hz頻率點輸出功率衰減≥6 dB。
(1)寬帶直流放大器（第9屆，2009年）
設(shè)計并制作一個寬帶直流放大器及所用的直流穩(wěn)壓電源。M25P16-VMF6TP放大器的輸入電阻≥50 n，負(fù)載電阻(50±2)Q。最大電壓增益Av≥60 dB，輸入電壓有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB時，輸出端噪聲電壓的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通頻帶0～10 MHz；在0～9 MHz通頻帶內(nèi)增益起伏≤1 dB。最大輸出電壓正弦波有效值VO≥10 V，輸出信號波形無明顯失真。電壓增益Av可預(yù)置并顯示，預(yù)置范圍為0～60 dB，步距為5 dB(也可以連續(xù)調(diào)節(jié))；放大器的帶寬可預(yù)置并顯示（至少5 MHz、10 MHz兩點）。
(2)數(shù)字幅頻均衡功率放大器（第9屆，2009年）
設(shè)計并制作一個數(shù)字幅頻均衡功率放大器。該放大器包括前置放大、帶阻網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字幅頻均衡和低頻功率放大電路。前置放大電路電壓放大倍數(shù)不小于400倍(輸入正弦信號電壓有效值<10 mV)，-1 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz，輸出電阻為600 Q。制作功率放大電路，對數(shù)字均衡后的輸出信號進(jìn)行功率放大，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV、功率放大器接8 Q電阻負(fù)載時，要求輸出功率≥10 W，輸出電壓波形無明顯失真。功率放大電路的-3 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz。功率放大電路的效率≥60%。
(3)佤頻功率放大器（第9屆，2009年，高職高專組）
設(shè)計并制作一個低頻功率放大器，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。輸入電阻為600 Q，通頻帶為10 Hz～50 kHz。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV時，在8 Q電阻負(fù)載（一端接地）上，輸出功率≥5W，輸出波形無明顯失真。在通頻帶內(nèi)低頻功率放大器失真度<1%。設(shè)計一個帶阻濾波器，阻帶頻率范圍為40～60 Hz。在50 Hz頻率點輸出功率衰減≥6 dB。
設(shè)計并制作一個寬帶直流放大器及所用的直流穩(wěn)壓電源。M25P16-VMF6TP放大器的輸入電阻≥50 n，負(fù)載電阻(50±2)Q。最大電壓增益Av≥60 dB，輸入電壓有效值VI≤10 mV。在Av =60 dB時，輸出端噪聲電壓的峰峰值V ONPP≤0.3 V。3 dB通頻帶0～10 MHz；在0～9 MHz通頻帶內(nèi)增益起伏≤1 dB。最大輸出電壓正弦波有效值VO≥10 V，輸出信號波形無明顯失真。電壓增益Av可預(yù)置并顯示，預(yù)置范圍為0～60 dB，步距為5 dB(也可以連續(xù)調(diào)節(jié))；放大器的帶寬可預(yù)置并顯示（至少5 MHz、10 MHz兩點）。
(2)數(shù)字幅頻均衡功率放大器（第9屆，2009年）
設(shè)計并制作一個數(shù)字幅頻均衡功率放大器。該放大器包括前置放大、帶阻網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字幅頻均衡和低頻功率放大電路。前置放大電路電壓放大倍數(shù)不小于400倍(輸入正弦信號電壓有效值<10 mV)，-1 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz，輸出電阻為600 Q。制作功率放大電路，對數(shù)字均衡后的輸出信號進(jìn)行功率放大，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV、功率放大器接8 Q電阻負(fù)載時，要求輸出功率≥10 W，輸出電壓波形無明顯失真。功率放大電路的-3 dB通頻帶為20 Hz～20 kHz。功率放大電路的效率≥60%。
(3)佤頻功率放大器（第9屆，2009年，高職高專組）
設(shè)計并制作一個低頻功率放大器，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。輸入電阻為600 Q，通頻帶為10 Hz～50 kHz。當(dāng)輸入正弦信號電壓有效值為5 mV時，在8 Q電阻負(fù)載（一端接地）上，輸出功率≥5W，輸出波形無明顯失真。在通頻帶內(nèi)低頻功率放大器失真度<1%。設(shè)計一個帶阻濾波器，阻帶頻率范圍為40～60 Hz。在50 Hz頻率點輸出功率衰減≥6 dB。
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