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錫晶須問(wèn)題

發(fā)布時(shí)間:2014/5/25 14:10:30 訪問(wèn)次數(shù):902

   晶須( Whisker)是指從金屬表面生長(zhǎng)出的細(xì)絲狀、針狀形單晶體,它能在固體物質(zhì)的表面生長(zhǎng),易發(fā)生在Sn、Zn、Cd、Ag等低熔點(diǎn)金屬表面, RK2818通常發(fā)生在0.5~50Um、厚度很薄的金屬沉積層表面。典型的晶須直徑為l~lO“m,長(zhǎng)度為1~500pLm。在高溫和潮濕的環(huán)境里,在有應(yīng)力的條件下,錫晶須的生長(zhǎng)速度會(huì)加快,過(guò)長(zhǎng)的錫晶須可能導(dǎo)致短路,引發(fā)電子產(chǎn)品可靠性問(wèn)題,如圖19-1所示。

   由于鍍Sn的成本比較低,因此,目前無(wú)鉛無(wú)件焊端和引腳表面采用鍍Sn工藝比較多,但鍍Sn容易形成Sn須。例如,發(fā)生在窄間距QFP等元件引腳上的晶須容易造成短路,如圖19-1 (d)所示,使電氣可靠性存在隱患。無(wú)鉛產(chǎn)品錫須生長(zhǎng)的機(jī)會(huì)和造成危害的可能性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于有鉛產(chǎn)品,會(huì)影響電子產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性。

   圖19-1錫晶須增長(zhǎng)會(huì)引發(fā)電子產(chǎn)品可靠性問(wèn)題

      

   針對(duì)錫晶須問(wèn)題,業(yè)界做了許多研究,目前已經(jīng)有一些有效抑制Sn晶須生長(zhǎng)的措施,如鍍暗Sn、熱處理、中間鍍Ni阻擋層、鍍層合金化等。詳見(jiàn)第3章3.1.1節(jié)的6.內(nèi)容。


   晶須( Whisker)是指從金屬表面生長(zhǎng)出的細(xì)絲狀、針狀形單晶體,它能在固體物質(zhì)的表面生長(zhǎng),易發(fā)生在Sn、Zn、Cd、Ag等低熔點(diǎn)金屬表面, RK2818通常發(fā)生在0.5~50Um、厚度很薄的金屬沉積層表面。典型的晶須直徑為l~lO“m,長(zhǎng)度為1~500pLm。在高溫和潮濕的環(huán)境里,在有應(yīng)力的條件下,錫晶須的生長(zhǎng)速度會(huì)加快,過(guò)長(zhǎng)的錫晶須可能導(dǎo)致短路,引發(fā)電子產(chǎn)品可靠性問(wèn)題,如圖19-1所示。

   由于鍍Sn的成本比較低,因此,目前無(wú)鉛無(wú)件焊端和引腳表面采用鍍Sn工藝比較多,但鍍Sn容易形成Sn須。例如,發(fā)生在窄間距QFP等元件引腳上的晶須容易造成短路,如圖19-1 (d)所示,使電氣可靠性存在隱患。無(wú)鉛產(chǎn)品錫須生長(zhǎng)的機(jī)會(huì)和造成危害的可能性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于有鉛產(chǎn)品,會(huì)影響電子產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性。

   圖19-1錫晶須增長(zhǎng)會(huì)引發(fā)電子產(chǎn)品可靠性問(wèn)題

      

   針對(duì)錫晶須問(wèn)題,業(yè)界做了許多研究,目前已經(jīng)有一些有效抑制Sn晶須生長(zhǎng)的措施,如鍍暗Sn、熱處理、中間鍍Ni阻擋層、鍍層合金化等。詳見(jiàn)第3章3.1.1節(jié)的6.內(nèi)容。


相關(guān)技術(shù)資料
5-25錫晶須問(wèn)題
相關(guān)IC型號(hào)
RK2818
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