倒裝芯片F(xiàn)C (Flip Chip)與晶圓級CSP (WL-CSP)WLP  (Wafer Level Processing)的組裝技術(shù)

   倒裝芯片F(xiàn)C、晶圓級CSP、S500-2.5-R晶圓級封裝WLP主要應(yīng)用在新一代手機(jī)、DVD、PDA、模塊等。

   倒裝芯片F(xiàn)C

   倒裝芯片定義為可能不進(jìn)行再分布的晶圓。通常，錫球小于150ym，球間距小于350ym。

   倒裝芯片的特點(diǎn)

   圖21-19(a)足傳統(tǒng)正裝器件，芯片電氣面朝上；圖21-19 (b)是倒裝芯片，電氣面朝下。

   另外，F(xiàn)C在圓片上植球，貼片時(shí)需要將其翻轉(zhuǎn)，而被稱為倒裝芯片。FC具有以下特點(diǎn)。

   ①基材是硅，電氣面及焊凸在器件下表面。

   ②最小的體積。FC的球間距一般為4～14mil、球徑2.5～8mil，使組裝的體積最小。

   ③最低的高度。FC組裝將芯片用再流或熱壓方式直接組裝在基板或印制電路板上。

   ④更高的組裝密度。FC技術(shù)可以將芯片組裝在PCB的兩個(gè)面上，大大提高組裝密度。

   ⑤更低的組裝噪聲。由于FC組裝將芯片直接組裝在基板上，噪聲低于BGA和SMD。

   ⑥不可返修性。FC組裝后需要做底部填充。FC的焊凸材料與基板的連接方式見表21-5。

   表21-5倒裝芯片的焊凸材料與基板的連接方式