- 微電子工藝氧化2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 微電子工藝之所以會(huì)有今天的發(fā)展,二氧化硅做為一種優(yōu)質(zhì)的絕緣材料起著至關(guān)重要的作用。對(duì)于光波導(dǎo)器件來(lái)說(shuō),最合適生長(zhǎng)上包層二氧化硅的做法也是采用氧化工藝。熱氧化分為干氧氧化和濕氧氧化兩種。干氧氧...[全文]
- RIB刻蝕氣體系統(tǒng)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- rib中一般不采用單一品種的氣體,而是數(shù)種氣體的組合(氣體系統(tǒng))。其作用分別是: 。1)主刻蝕氣體。一般用含鹵族元素的氣體,特別是鹵碳化合物氣體。之所以較少使用純鹵元素氣體,是因?yàn)槠浠?..[全文]
- RIE的質(zhì)量控制指標(biāo)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 。1)刻蝕速率:影響因素有刻蝕氣體種類、活性基團(tuán)的密度(例如hdp的刻蝕速率很高)、鞘層電壓(通過(guò)功率、氣體壓力、流速、頻率、濃度等工藝參量改變)。 。2)選擇性:rie主要用于圖形轉(zhuǎn)...[全文]
- 接觸式/接近式光刻機(jī)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 對(duì)于接觸式光刻機(jī),曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1 gm的特征尺寸,常用的光源分辨率為0...[全文]
- 分步重復(fù)光刻機(jī)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 圖顯示了一種簡(jiǎn)單分步重復(fù)光刻系統(tǒng)。掩模版放在聚焦透鏡和投影系統(tǒng)之間,掩模圖像是被縮小了5~10倍投影到襯底晶片上的。這種光學(xué)系統(tǒng)有很多優(yōu)點(diǎn):第一,可以利用大得多的特征尺寸繪制掩模圖形,例如在...[全文]
- 步進(jìn)掃描光刻機(jī)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 步進(jìn)掃描光刻系統(tǒng)是一種混合設(shè)各,融合了掃描投影光刻機(jī)和分步重復(fù)光刻機(jī)技術(shù),是通過(guò)使用縮小透鏡掃描一個(gè)大曝光場(chǎng)圖像到晶片上一部分實(shí)現(xiàn)的。這種技術(shù)在一定程度上緩解了器件特征尺寸減小而半導(dǎo)體晶圓物...[全文]
- 微電子與光電子集成技術(shù)簡(jiǎn)介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 微電子技術(shù)已經(jīng)成為推動(dòng)現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的主流技術(shù),而光電子技術(shù)在能源、通信、人工智能等方面有著極其廣泛的應(yīng)用。微電子技術(shù)、光電子技術(shù)及生命科學(xué)技術(shù)己經(jīng)成為現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的三大支柱。 ...[全文]
- 發(fā)射器件晶外結(jié)構(gòu)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半導(dǎo)體材料是由一種或幾種原子周期性規(guī)則排列而成的晶體,而每個(gè)原子又包含原子核和核外電子。夫于半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)理論在相關(guān)固體物理方面的書籍中已有詳細(xì)論述,這里不作為本書的重點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)展...[全文]
- 光發(fā)射器件能帶結(jié)構(gòu)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 能帶理論提供了分析半導(dǎo)體理論問(wèn)題的基礎(chǔ),推動(dòng)了半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。能帶理論是單電子近似的理論,就是假設(shè)每個(gè)電子是在周期性排列且固定不動(dòng)的原子核勢(shì)場(chǎng)及其他電子的平均勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。該勢(shì)場(chǎng)是具有與晶格...[全文]
- 半導(dǎo)體電致發(fā)光基礎(chǔ)理論2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 這種電致發(fā)光方式是由電場(chǎng)(電流)激發(fā)載流子,將電能直接轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽艿倪^(guò)程,也稱為場(chǎng)致發(fā)光。電子在從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷的過(guò)程中,必然釋放出一定的能量。如果能量以發(fā)射光子的形式釋放,則稱這種躍遷為...[全文]
- 半導(dǎo)體激光簡(jiǎn)介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 激光(laser)是“受激輻射光放大”的簡(jiǎn)稱,是一種亮度極高、方向性和單色性很好的相干光輻射。產(chǎn)生激光的躍遷過(guò)程是:自發(fā)輻射、受激吸收與受激輻射,可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的兩能級(jí)系統(tǒng)來(lái)定性說(shuō)明,如圖1...[全文]
- 半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)介2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半導(dǎo)體激光器是利用半導(dǎo)體中的載流子受激躍遷而引起受激光發(fā)射的光振蕩器和光放大器的總稱。半導(dǎo)體激光器要產(chǎn)生相干輻射,必須具備三個(gè)基本條件,即 。1)產(chǎn)生激光的物質(zhì)。為了形成穩(wěn)定振蕩,激光...[全文]
- 半導(dǎo)體激光器分類2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半導(dǎo)體激光器的種類很多,各種參考文獻(xiàn)對(duì)激光器的種類進(jìn)行了詳細(xì)論述,圖進(jìn)行了簡(jiǎn)單示意。半導(dǎo)體激光器可以根據(jù)有源層材料、發(fā)射波長(zhǎng)、器件結(jié)構(gòu)、輸出功率和應(yīng)用領(lǐng)域等不同方式進(jìn)行劃分,分類方式靈活,相...[全文]
- 單異質(zhì)結(jié)激光器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 單異質(zhì)結(jié)激光器可以分為同型異質(zhì)結(jié)(n-n或p-p)和異型異質(zhì)結(jié)(n-p或p-n),圖說(shuō)明了能帶結(jié)構(gòu)情況。 圖 單異質(zhì)結(jié)激光器能帶結(jié)構(gòu)示意圖 以n-n同型單異質(zhì)結(jié)激光器能帶為例...[全文]
- 雙異質(zhì)結(jié)激光器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 雙異質(zhì)結(jié)基本結(jié)構(gòu)是將有源層夾在同時(shí)具有寬帶隙和低折射率的兩種半導(dǎo)體材料之間,以便在垂直于結(jié)平面的方向(橫向)上有效地限制載流子和光子。用此結(jié)構(gòu)于1970年實(shí)現(xiàn)了gaalas/gaas激射波長(zhǎng)...[全文]
- 分布反饋激光器(DFB-LD)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 設(shè)計(jì)和制作在高速調(diào)制下仍能保持單縱模工作的激光器是十分重要的,這類激光器統(tǒng)稱動(dòng)態(tài)單模半導(dǎo)體激光器。實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)單縱模工作的最有效的方法之一,就是在半導(dǎo)體激光器內(nèi)部建立一個(gè)布拉格光柵,靠光柵的反饋...[全文]
- 量子阱激光器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 量子尺寸效應(yīng)最實(shí)際的應(yīng)用是量子阱(mqw)及用量子阱所得到的各種半導(dǎo)體器件,量子阱是窄帶隙超薄層被夾在兩個(gè)寬帶隙勢(shì)壘薄層之間。由一個(gè)勢(shì)阱構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)為單量子阱,簡(jiǎn)稱為sqw(single...[全文]
- 硅基半導(dǎo)體激光器2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 目前,對(duì)于單片集成光電子回路來(lái)說(shuō),最大的限制就在于缺少合適的光源,而基于化合物材料的半導(dǎo)體激光器由于工藝上與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝不兼容,無(wú)法實(shí)現(xiàn)單片集成電路。所以只能選擇硅作為基本材料的發(fā)光器件...[全文]
- 垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- vcsel的基本工作原理與其他的半導(dǎo)體激光器相類似。都是通過(guò)將電流注入到有源區(qū),并在有源區(qū)內(nèi)提供足夠的增益,才有光模式激發(fā)出來(lái)。vcsel中光子的壽命只是略短于邊發(fā)射激光器,與邊發(fā)射激光器不...[全文]
- VCSEL的總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 圖是垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)示意圖。其有源區(qū)由多量子阱組成,有源區(qū)上、下兩邊分別由多層1/4波長(zhǎng)厚的高、低折射率交替的外延材料形成dbr,出射光方向可以是頂部或襯底,這主要取決于襯底材料對(duì)所...[全文]
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