混合和匹配光刻機(jī)：較小幾KS8695PX何尺寸的成像十分昂貴。但幸好一個產(chǎn)品的掩模版組中只有某幾個關(guān)鍵層需要先進(jìn)的成像技術(shù)。對于先進(jìn)的電路，至少也有50%的非關(guān)鍵層【ioi。這些非關(guān)鍵層可以通過更加成熟的技術(shù)成像，如投影式分步重復(fù)光刻機(jī)或較便宜的分步式光刻機(jī)。使用X射線或電子束技術(shù)的混合和匹配光刻機(jī)可能會成為工廠的生產(chǎn)特色。

   工業(yè)界正沿著摩爾定律，向不久的將來的5 nm節(jié)點(diǎn)…1前進(jìn)。第8章和第9章介紹的基本工藝將不能滿足生產(chǎn)比200 nm節(jié)點(diǎn)小得多的特征尺寸。高于這個里程碑式的進(jìn)步要求整個基本工藝的改善[12]。它們包括將在第10章討論的新光刻膠、新曝光源和改善的掩模版等。

學(xué)習(xí)完本章后，你應(yīng)該能夠：

   1．畫出基本的光刻工藝十步法制程的晶圓截面圖。

   2．解釋正膠和負(fù)膠對光的反應(yīng)。

   3．解釋在晶圓表面建立孔洞和島區(qū)所需要的正確的光刻膠和掩模版的極性。

   4．列出十步基本光刻法每一步的主要工藝選項(xiàng)。

   5．從習(xí)題4的列表中選出恰當(dāng)?shù)墓に噥斫⑽⒚缀蛠單⒚椎奶卣鲌D形。

   6．解釋雙重光刻、多層光刻胺工藝和平坦化技術(shù)的工藝需求。

   7．描述在“小”特征尺寸圖形光刻過程中，防反射涂膠工藝和對比度增強(qiáng)工藝的應(yīng)用。

   8．列出用于對準(zhǔn)和曝光的光學(xué)方法和非光學(xué)方法。