拋光速度
發(fā)布時(shí)間:2015/11/4 22:02:53 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):862
生產(chǎn)中考慮的首要參數(shù)是拋光速度, ADS7862Y影響拋光速度的因素有很多。上面描述的拋光墊的參數(shù)、磨料漿的種類(lèi)和磨粉尺寸、磨料漿的化學(xué)成分,這些都是主要的因素。還有拋光墊壓力、旋轉(zhuǎn)速度;磨料漿的流速、磨料漿的黏度;拋光反應(yīng)室的溫度、濕度、晶圓直徑、圖形尺寸等,表面材料也是影響的因素。必須平衡以卜.所有因素以達(dá)到高的拋光速度且不使[藝失控,
晶圓表面整體平整性,這是化學(xué)機(jī)械拋光的目標(biāo),但隨著多層金屬設(shè)計(jì)的采用,這一日標(biāo)變得不埸達(dá)到.銅是一個(gè)特例,通過(guò)它可以看到一些化學(xué)機(jī)械拋光存在的基本問(wèn)題。,銅被淀積在大馬十革圖形化工藝中的溝槽內(nèi)(見(jiàn)圖10. 33),導(dǎo)致中間密度低。在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)稃中,中間研磨更快,從而導(dǎo)致“盤(pán)形”出現(xiàn),而且,在圖形密集區(qū)域,銅淀積密度也不同,引起各圖形研磨速度不一致。塞對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)說(shuō)也是個(gè)挑戰(zhàn)(見(jiàn)圖10. 34)。在初始化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中,鎢表面中心會(huì)凹進(jìn)去而比周?chē)难趸瘜?/span>低。需要氧化層緩沖來(lái)進(jìn)一步平坦化表面。301 1。
在一些銅金屬化設(shè)計(jì)中,鉭被用來(lái)作為溝道中的阻擋層,阻
擋銅擴(kuò)散進(jìn)入硅中。然而,鉭的研磨遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于銅(在以銅為研磨圖10. 33銅溝槽的“盤(pán)形”目標(biāo)的磨料漿中),使得銅的研磨時(shí)間大大增加,而且更加使中間凹陷3。J。
圖形形狀尺寸的不同也會(huì)導(dǎo)致去除速度的不同。更大面積的區(qū)域去除更快,而在晶圓表面留下凹陷的低地。
還有,挑戰(zhàn)來(lái)自金屬的硬度(硬度不同,其拋光速率不同)和較軟聚合物材料的層間介質(zhì)( IDL)。盡管仍然存在各種挑戰(zhàn),晶圓表面的平整度不得不控制在150 nm以下。
生產(chǎn)中考慮的首要參數(shù)是拋光速度, ADS7862Y影響拋光速度的因素有很多。上面描述的拋光墊的參數(shù)、磨料漿的種類(lèi)和磨粉尺寸、磨料漿的化學(xué)成分,這些都是主要的因素。還有拋光墊壓力、旋轉(zhuǎn)速度;磨料漿的流速、磨料漿的黏度;拋光反應(yīng)室的溫度、濕度、晶圓直徑、圖形尺寸等,表面材料也是影響的因素。必須平衡以卜.所有因素以達(dá)到高的拋光速度且不使[藝失控,
晶圓表面整體平整性,這是化學(xué)機(jī)械拋光的目標(biāo),但隨著多層金屬設(shè)計(jì)的采用,這一日標(biāo)變得不埸達(dá)到.銅是一個(gè)特例,通過(guò)它可以看到一些化學(xué)機(jī)械拋光存在的基本問(wèn)題。,銅被淀積在大馬十革圖形化工藝中的溝槽內(nèi)(見(jiàn)圖10. 33),導(dǎo)致中間密度低。在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)稃中,中間研磨更快,從而導(dǎo)致“盤(pán)形”出現(xiàn),而且,在圖形密集區(qū)域,銅淀積密度也不同,引起各圖形研磨速度不一致。塞對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)說(shuō)也是個(gè)挑戰(zhàn)(見(jiàn)圖10. 34)。在初始化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中,鎢表面中心會(huì)凹進(jìn)去而比周?chē)难趸瘜?/span>低。需要氧化層緩沖來(lái)進(jìn)一步平坦化表面。301 1。
在一些銅金屬化設(shè)計(jì)中,鉭被用來(lái)作為溝道中的阻擋層,阻
擋銅擴(kuò)散進(jìn)入硅中。然而,鉭的研磨遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于銅(在以銅為研磨圖10. 33銅溝槽的“盤(pán)形”目標(biāo)的磨料漿中),使得銅的研磨時(shí)間大大增加,而且更加使中間凹陷3。J。
圖形形狀尺寸的不同也會(huì)導(dǎo)致去除速度的不同。更大面積的區(qū)域去除更快,而在晶圓表面留下凹陷的低地。
還有,挑戰(zhàn)來(lái)自金屬的硬度(硬度不同,其拋光速率不同)和較軟聚合物材料的層間介質(zhì)( IDL)。盡管仍然存在各種挑戰(zhàn),晶圓表面的平整度不得不控制在150 nm以下。
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