淀積工藝受幾個因素控制或約束。一個因素是特定雜質(zhì)的擴散率( diffusivity)。擴散率AD6622AS計量的是雜質(zhì)在特定晶圓材料中的運動速率。擴散率越高，雜在晶圓中的穿越越快。擴散率隨溫度的上升而變大。

   另外一個因素是雜質(zhì)在晶圓材料中的最大固溶度( maximum solid solubility)。最大固溶度是特定雜質(zhì)在晶圓中所能達到的最高濃度。相似的例子是咖啡中糖的最大溶解度。咖啡只能 溶解一定量的糖，而后便會在杯底凝結為固態(tài)糖。最大固溶度隨溫度的升高而升高。

   在半導體淀積步驟中，將雜質(zhì)濃度故意設置得比晶圓材料中的最大固溶度更高。這種情形下，確保晶圓可接受最大摻雜量。

   進入晶圓表面的雜質(zhì)數(shù)量僅僅與溫度有關，淀積在所謂的同溶度允許條件下進行。硅中不同雜質(zhì)的固溶度如圖11. 11所示。

   晶圓中不同層面雜質(zhì)原子濃度是影響二極管和晶體管性能的重要因素。圖11. 12顯示r√淀積后雜質(zhì)濃度隨深度變化的關系曲線。曲線的形狀是特定的，這就是數(shù)學中所稱的誤差函數(shù)( error function)。影響器件性能的一個重要參數(shù)就是晶圓表面的雜質(zhì)濃度。這被稱為表面濃度( surface  concentration)，是誤差函數(shù)曲線與縱軸相交處的值。另外一個淀積參數(shù)就是擴散到晶圓內(nèi)部的全部雜質(zhì)原子數(shù)量。這個數(shù)量隨淀積的時間而增加。計算上，原子的數(shù)量 (Q)由誤差函數(shù)曲線下方的面積所代表。