硅柵MOS技術(shù)的采用， AD8034ARTZ-REEL7使芯片上淀積的多晶硅線條變成r導(dǎo)體。為了作為導(dǎo)體使用，多晶硅必須被摻雜以增加其導(dǎo)電性。一般，首選雜質(zhì)是磷，因為它在硅中有高的固熔度，摻雜可以用擴(kuò)散、離子注入或在LPCVD過程中原位(in situ)摻雜。其差異與在晶粒結(jié)構(gòu)方面的摻雜溫度效應(yīng)相關(guān)。溫度越低，陷在多晶晶粒結(jié)構(gòu)里的雜質(zhì)量越大，在那里它們不能參與導(dǎo)電。這是寓子注入所具有的情況．，擴(kuò)散摻雜導(dǎo)致最低的薄膜方阻率。由于晶界俘獲，原f移 CVD摻雜有最低的雜質(zhì)載流子遷移率。

   摻雜多晶硅具有比硅晶圓好的歐姆接觸的優(yōu)勢，并能被氧化形成絕緣層、、多晶硅氧化膜的質(zhì)量低于生長在單晶卜熱氧化膜的質(zhì)量，這是由生長在粗糙的多晶硅表面的氧化膜的不均勻性所致的。

   雖然多晶硅與硅有較低的接觸電阻，但它依然展示出比金屬材料高得多的電阻  叮使多層金屬堆疊在多晶硅和硅化物（如鈦硅化物）上，稱為多晶硅化物（見第16章）.