透射電鏡： IRF530PBF標(biāo)準(zhǔn)的SEM設(shè)備分辨率范圍在20~ 30 A陀，它對于ULSI集成電路器件檢測造成一個障礙。煞而，透射電子束通過一個薄層樣品時，其分辨率增至2A。分辨率的增加的確誘人，但樣品的制備是一件很耗時并且需要高精度的事情。透射電鏡(TEM)是用于實(shí)驗(yàn)中離線1-作的最好儀器。

   這一原理被用于測量膜厚度。在掃描電鏡下，高能電子束產(chǎn)生X射線并以此方式脫離表面。幸運(yùn)的是，X射線的能量由表面原子反射，并且能被分析以獲得其他信息。，當(dāng)一個X射線光譜添加到掃描電鏡中，以探測分散X射線時，上述過程便可實(shí)現(xiàn)，獲得的其他信息是關(guān)于材料（元素）的化學(xué)信息。

   光學(xué)輪廓曲線儀：這是一一種顯微鏡型儀器，它用一個光束分光器將光束分成兩束。一束被反射到一個反射鏡面．？結(jié)合反射光束引起的干涉，它依次提供表面的形貌和輪廓，它還能確定臺階的高度和提供3D圖像。

   電容一電壓曲線法：可動離子污染( MIC)是在工藝中結(jié)合進(jìn)器件的電活性離子．、它們來自被污染的工藝材料、臟的工藝機(jī)臺和腔室，以及環(huán)境污染。它們不能用表面的檢測方法檢測到。然而，在晶體管和二極管的電學(xué)測量中，它們顯現(xiàn)來。、通過精確地?fù)诫s制造半導(dǎo)體器件的各部分，MIC在器件中作為摻雜劑活動，并且改變器件的電性能。一個常用的電學(xué)測試是繪出MOS晶體管的電容一電壓曲線。這種技術(shù)在關(guān)于器件電測試一節(jié)進(jìn)行論。