低七介質(zhì)的缺陷源
發(fā)布時(shí)間:2015/11/11 19:06:25 訪問(wèn)次數(shù):411
自動(dòng)晶圓表面檢查的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是將不同的技術(shù)結(jié)合在同一檢查設(shè)備中。一個(gè)采HCPL-181-00BE樣覆蓋散射儀、橢圓偏振儀、反射儀與表面形貌分析一起提供表面情況的綜合評(píng)估。缺陷、厚度均勻性和表面情況能夠在一個(gè)檢測(cè)臺(tái)上被確定¨5。
銅或低露介質(zhì)結(jié)合的開發(fā)對(duì)工藝已引入全新的主缺陷。161。圖14. 27列出了和金屬系統(tǒng)相關(guān)的缺陷樣品。
自動(dòng)晶圓表面檢查的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是將不同的技術(shù)結(jié)合在同一檢查設(shè)備中。一個(gè)采HCPL-181-00BE樣覆蓋散射儀、橢圓偏振儀、反射儀與表面形貌分析一起提供表面情況的綜合評(píng)估。缺陷、厚度均勻性和表面情況能夠在一個(gè)檢測(cè)臺(tái)上被確定¨5。
銅或低露介質(zhì)結(jié)合的開發(fā)對(duì)工藝已引入全新的主缺陷。161。圖14. 27列出了和金屬系統(tǒng)相關(guān)的缺陷樣品。
相關(guān)技術(shù)資料- 2-9行輸出管的選用
- 11-11低七介質(zhì)的缺陷源
- 10-9LED廣場(chǎng)噴射燈
- 10-9城市中心廣場(chǎng)景觀照明工程設(shè)計(jì)實(shí)例
- 12-22輸入和輸出變壓器的修理
- 5-21電壓增益與頻率特性的關(guān)系
熱門點(diǎn)擊
- 正膠和負(fù)膠的比較
- 二氧化硅層的用途
- 生產(chǎn)線組織架構(gòu)
- CMOS結(jié)構(gòu)
- 接地匯集排連接方法
- 反差效應(yīng)
- 區(qū)熔法
- 光刻母版和掩模版
- 易失性存儲(chǔ)器
- 氧化前晶圓的清洗
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來(lái)看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖，F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
