本書中涉及了分立式器件及集成電路的多種特性。有些特性是由封裝設(shè)計(jì)和封裝'I-藝直接衍生出來(lái)的（見圖18.3）。芯片的密度（集成度）決定了所需外部連接點(diǎn)的數(shù)目，TMS320DM365ZCE30集成度越高的芯片其表面積越大，外部連接點(diǎn)也越多。芯片越做越大的趨勢(shì)必然導(dǎo)致對(duì)更大直徑晶圓的需求。這些因素改變了劃片工藝、封裝設(shè)計(jì)和對(duì)晶圓減薄的需求。

   在前一章中捉到的芯片器件（三極管、二極管、電容器、電阻器和熔斷絲）的功能呵因各種各樣的污染而改變。最主要的污染是化學(xué)污染，如鈉和氯。另外，其他化學(xué)品可以攻擊芯片內(nèi)的不同層次，還有環(huán)境因素，如微粒、濕度和靜電可以毀壞芯片或改變其性能。其他方面的考慮還有光和輻射粒子對(duì)芯片表面轟擊的影響。有些芯片對(duì)光和輻射粒子極其敏感。在選擇封裝材料和工藝時(shí)通常會(huì)考慮到這些因素。芯片的顯著特性是其表面在受到物理?yè)p傷時(shí)顯得極其脆弱。晶圓表面的器件距晶圓的外表面的距離相當(dāng)小，表面的引線是細(xì)小且脆弱的。

   所關(guān)注的這些環(huán)境和物理因素可以從兩個(gè)方面來(lái)闡述。第一個(gè)是鄰近晶圓制造工藝結(jié)束處的鈍化層的淀積。這可能是基于二氧化硅和氮化硅的硬質(zhì)層。鈍化層經(jīng)常摻雜一些硼、磷或兩者兼?zhèn)鋪?lái)增強(qiáng)它們的保護(hù)特性�？商鎿Q的可能是像聚酰亞胺這樣的軟質(zhì)層（見圖18.4）第二種保護(hù)芯片的方法是由一個(gè)封裝體本身來(lái)提供。