由r電鍍的低溫和低成本， AD8031ARTZ-REEL7它已成為產(chǎn)生銅淀積的療法16 7如果用于低矗介質(zhì)層，必須是低溫  種籽層必須均勻地覆蓋在通孑L／溝槽的底部和側(cè)面，以確保銅金屬導(dǎo)線的物理和電特性均勻。銅的電鍍已成為印制電路板( PCB)主流I：藝幾f‘年f（見圖13.19）。將晶圓懸在含硫酸銅( CuSO。)的池中，并和陰極（負(fù)電極）相連，通過施加電流，池中的成分分離。銅鍍在晶圓外面，同時(shí)氫氣在陽極釋放。一個(gè)關(guān)注點(diǎn)是晶圓整片的均勻性。晶圓表面上的材料和結(jié)構(gòu)變化會降低電流分布的均勻性，其結(jié)果可能是不均勻

的生長和密度。另一個(gè)關(guān)注點(diǎn)是在開口邊緣處形成斜角�？赏ㄟ^淀積后分別的清洗步驟解決這一問題。晶圓表面的不均勻區(qū)域在CMP工藝中將有不同的去除速率。生產(chǎn)級的FICP系統(tǒng)將包括晶圓預(yù)清洗、電鍍部分、斜角去除和退火。

  化學(xué)機(jī)械工藝

   在半導(dǎo)體工藝中，有幾步使用化學(xué)機(jī)械工藝(CMP)，，第3章講述r它在硅晶圓原材料平坦化的應(yīng)用。第10章講述了它在【藝中平坦化晶圓表面，其目的是為了提高光刻精度。銅后CMP是一個(gè)類似的工藝，但是有不同的表面要被平整和平坦化．，在銅電鍍過程中，通孔或溝槽孑L過度填充以確保溝槽被完全填充。在進(jìn)行下一步工藝之前，必須通過去除溢出的銅將表面重新平整。工藝和細(xì)節(jié)已在第10章討論過。