溫度、濕度及煙霧控制
發(fā)布時間:2016/6/15 21:15:19 訪問次數(shù):575
除了控制顆粒,空氣中溫度、濕度和煙霧的含量也需要規(guī)定與控制。溫度控CY6116A-35DMB制對操作員的舒適性與工藝控制是很重要的。許多利用化學(xué)溶劑進(jìn)行刻蝕與清洗的工藝都在沒有溫度控制的設(shè)各箱內(nèi)完成,只依賴潔凈室溫度的控制。這種控制非常重要,因為化學(xué)反應(yīng)會隨溫度的變化而不同。例如,溫度每升高10℃,刻蝕速率參數(shù)加二。通常的室溫為”T,上下幅度為2T。
相對濕度也是一個非常重要的工藝參數(shù),尤其在光刻工藝中,要在晶圓表面鍍上一層聚合物作為刻蝕膜版。如果濕度過大,晶圓表面太潮濕,會影響聚合物的結(jié)合,就像在潮濕的畫板上繪畫一樣。如果濕度過低,晶圓表面就會產(chǎn)生靜電,這些靜電會從空氣中吸附微粒。一般相對濕度應(yīng)保持在15%~50%之間。
煙霧是潔凈室的另一個空中污染源。它對光刻工藝影響最大。光刻中的一個步驟與照相中的曝光相似,是一種化學(xué)反應(yīng)工藝。氧是煙霧中的主要成分,易影響曝光,必須被控制。在進(jìn)入空氣的管道中裝上碳素過濾器可吸附臭氧。
除了控制顆粒,空氣中溫度、濕度和煙霧的含量也需要規(guī)定與控制。溫度控CY6116A-35DMB制對操作員的舒適性與工藝控制是很重要的。許多利用化學(xué)溶劑進(jìn)行刻蝕與清洗的工藝都在沒有溫度控制的設(shè)各箱內(nèi)完成,只依賴潔凈室溫度的控制。這種控制非常重要,因為化學(xué)反應(yīng)會隨溫度的變化而不同。例如,溫度每升高10℃,刻蝕速率參數(shù)加二。通常的室溫為”T,上下幅度為2T。
相對濕度也是一個非常重要的工藝參數(shù),尤其在光刻工藝中,要在晶圓表面鍍上一層聚合物作為刻蝕膜版。如果濕度過大,晶圓表面太潮濕,會影響聚合物的結(jié)合,就像在潮濕的畫板上繪畫一樣。如果濕度過低,晶圓表面就會產(chǎn)生靜電,這些靜電會從空氣中吸附微粒。一般相對濕度應(yīng)保持在15%~50%之間。
煙霧是潔凈室的另一個空中污染源。它對光刻工藝影響最大。光刻中的一個步驟與照相中的曝光相似,是一種化學(xué)反應(yīng)工藝。氧是煙霧中的主要成分,易影響曝光,必須被控制。在進(jìn)入空氣的管道中裝上碳素過濾器可吸附臭氧。
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