不同電容值的匹配設(shè)計
發(fā)布時間:2016/6/28 23:29:22 訪問次數(shù):539
圖8.19(a)所示的2只晶體管的版圖方向不同,匹配性能很差;圖8.19(b)所示的2只晶體管的版圖方向一致,但是兩晶體管源漏極的周圍環(huán)境不同,ADS1118這會引起源漏極的摻雜濃度、多晶硅刻蝕速率的不匹配,因此會增加兩晶體管之間的不匹配;圖8.19(c)通過增加“冗余”單元保證了每個晶體管周圍的環(huán)境相同,因此減小了晶體管的不匹配。
圖8.⒛所示是采用重心重合的MOS管設(shè)計。圖8.21給出了5個電容值之比為1∶⒈⒉⒋8的匹配電容在采用了單元元器件復(fù)制技術(shù)、公用重心設(shè)計技術(shù)后的版圖,綜合采用這些技術(shù),可以提高多個電容之間的匹配性能。
采用版圖匹配設(shè)計技術(shù)后可以提高元器件的匹配性能,但是會增加芯片面積,布線也會比較困難,連線的寄生效應(yīng)會限制匹配精度。
圖8.19(a)所示的2只晶體管的版圖方向不同,匹配性能很差;圖8.19(b)所示的2只晶體管的版圖方向一致,但是兩晶體管源漏極的周圍環(huán)境不同,ADS1118這會引起源漏極的摻雜濃度、多晶硅刻蝕速率的不匹配,因此會增加兩晶體管之間的不匹配;圖8.19(c)通過增加“冗余”單元保證了每個晶體管周圍的環(huán)境相同,因此減小了晶體管的不匹配。
圖8.⒛所示是采用重心重合的MOS管設(shè)計。圖8.21給出了5個電容值之比為1∶⒈⒉⒋8的匹配電容在采用了單元元器件復(fù)制技術(shù)、公用重心設(shè)計技術(shù)后的版圖,綜合采用這些技術(shù),可以提高多個電容之間的匹配性能。
采用版圖匹配設(shè)計技術(shù)后可以提高元器件的匹配性能,但是會增加芯片面積,布線也會比較困難,連線的寄生效應(yīng)會限制匹配精度。
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