典型的MOs結(jié)構(gòu)為Al一S⒑2一si或Poly―Si―sio2~Si結(jié)構(gòu)。MOS結(jié)構(gòu)的電荷和缺陷包括制造工藝引入的和輻射引入的兩種性質(zhì)的電荷和缺陷。M0334SJ200一般情況下,這些電荷聚積在s⒑2氧化層體內(nèi)、si/s⒑2界面及金屬表面和si表面薄膜,尤其是si/s⒑2界面附近的過渡層。大量的研究表明在si/so2系統(tǒng)中,存在著多種形式的電荷和能量狀態(tài),一般可歸納為以下4種基本類型:s⒑2層中的可動(dòng)離子、S⒑2層中的圃定電荷、si/so2界面處的界面態(tài)、s⒑2中的陷阱電荷。

  層中的可動(dòng)離子。主要是帶正電的鈉離子,還有鉀、氫等正離子,通過沾污進(jìn)入氧化膜中形成可動(dòng)離子電荷。

   S⒑2層中的固定電荷。位于si/s⒑2界面附近,不能在so2中遷移,這種電荷受氧化層厚度或硅中雜質(zhì)類型及溫度的影響不明顯。但這種電荷與氧化和退火條件,以及硅晶體的取向有很顯著的關(guān)系。研究結(jié)果表明:在si/So2界面附近存在的過剩硅離子是固定表面正電荷產(chǎn)生的原因。其密度一般在1010~1012cm2范圍內(nèi)。