顯影
發(fā)布時(shí)間:2016/8/4 20:22:03 訪問(wèn)次數(shù):850
用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的可溶區(qū)光刻膠區(qū)域的過(guò)程就是顯影,其目的MC13202FC就是把掩膜板圖形準(zhǔn)確的復(fù)制到晶片表面上。如圖4-11所示是LED芯片制造最常用的旋轉(zhuǎn)式浸沒(méi)顯影,一般采用的是多次浸沒(méi)分段顯影的方法。
顯影過(guò)程中常出現(xiàn)的問(wèn)題如圖⒋12所示,有顯影不足、過(guò)顯影、顯影不完全等常見(jiàn)問(wèn)題。顯影液溫度、顯影時(shí)間、顯影次數(shù)、每次顯影液的量等均是顯影時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)于正膠,溫度越低,正膠的溶解率越大,對(duì)于負(fù)膠,則相反。顯影時(shí)間長(zhǎng)短、顯影的次數(shù)、每次顯影液的量直接影響顯影的效果。
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用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的可溶區(qū)光刻膠區(qū)域的過(guò)程就是顯影,其目的MC13202FC就是把掩膜板圖形準(zhǔn)確的復(fù)制到晶片表面上。如圖4-11所示是LED芯片制造最常用的旋轉(zhuǎn)式浸沒(méi)顯影,一般采用的是多次浸沒(méi)分段顯影的方法。
顯影過(guò)程中常出現(xiàn)的問(wèn)題如圖⒋12所示,有顯影不足、過(guò)顯影、顯影不完全等常見(jiàn)問(wèn)題。顯影液溫度、顯影時(shí)間、顯影次數(shù)、每次顯影液的量等均是顯影時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)于正膠,溫度越低,正膠的溶解率越大,對(duì)于負(fù)膠,則相反。顯影時(shí)間長(zhǎng)短、顯影的次數(shù)、每次顯影液的量直接影響顯影的效果。
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