偏束板 離子束是在高真空中行進(jìn)的,即使是極高的真空,也不免有殘留的氣體分子。于是快RF3400HNC2UM速行進(jìn)的離子,仍然有可能與系統(tǒng)中的殘留中性氣體原子(或分子)相碰撞,進(jìn)行電荷交換,使中性氣體原子(或分子)失去電子,成為正離子,而原來帶正電的束流離子獲得電子,成為中性原子,并保持原來的速度和方向,與離子束一起前進(jìn)成為中性束。真空度越差,中性束越強(qiáng);束流行進(jìn)的路徑越長,中性束也越強(qiáng)。中性束不受靜電場(chǎng)的作用,直線前進(jìn)而注入靶片的某一點(diǎn),因而嚴(yán)重影響注入層的均勻性。為此,在系統(tǒng)中設(shè)有靜電偏轉(zhuǎn)電極,使離子束流偏轉(zhuǎn)5°左右再到達(dá)靶室,中性束因直線前進(jìn)不能到達(dá)靶室,從而解決了中性束對(duì)注人均勻性的影響。

  靶室 靶室也稱工作室,室內(nèi)有安裝靶片的樣品架,它可以根據(jù)需要做相應(yīng)的運(yùn)動(dòng)。另外還有真空排氣系統(tǒng)和電子控制器等輔助設(shè)各。離子注入劑量理論上可以由離子電流大小來度量。簡單采用法拉第杯計(jì)量離子電流和控制束流與注人劑量,即式中,r為電流;r為時(shí)問;A為注人面積。