除了要求低電阻率之外,還應(yīng)抗電遷移能力強(qiáng),理化穩(wěn)定性能、機(jī)械性能和電學(xué)性能在經(jīng)過后續(xù)工藝及長時間工作之后保持不變,最好薄膜淀積和圖形轉(zhuǎn)移等加工工藝簡單、且經(jīng)濟(jì),制備的互連線臺階覆蓋特性好、PAM2301CAABADJ缺陷濃度低、薄膜應(yīng)力小。

    實際上沒有完全滿足上述要求的金屬或金屬性材料,早期的ULSI是采用鋁及鋁合金作為導(dǎo)電材料。近年來隨著工藝技術(shù)的發(fā)展,銅已成為金屬導(dǎo)電材料的首選,在集成度更高的ULSI中有取代鋁及鋁合金的趨勢。

   銅的優(yōu)點(diǎn)包括:電阻率低,只有鋁的40%~45%;抗電遷移性,好于鋁膜約兩個數(shù)量級。缺點(diǎn)有:銅在硅中是快擴(kuò)散雜質(zhì),能使硅"中毒",銅進(jìn)人硅內(nèi),改變器件性能;與硅、二氧化硅粘附性差。在工藝方面,在硅一銅之間增加黏附性強(qiáng),且可阻止Cu向⒏中擴(kuò)散的隔離膜。銅膜制各是先濺射銅種子層,再用化學(xué)鍍、電鍍制備銅膜。