為了降低收集極串聯(lián)電阻,需要制備重摻雜的n型接觸。進行第三次光刻,刻蝕出M1MA142WKT1G收集極摻雜窗口,注入(或擴散)磷,退火激活。

   基區(qū)的形成

   第四次光刻,刻出基區(qū),然后注入硼,并退火使其擴散形成基區(qū)。由于基區(qū)的摻雜及其分布直接影響著器件的電流增益、截止頻率等特性,因此注人硼的能量和劑量需要加以特別控制。

   發(fā)射區(qū)的形成

   在基區(qū)生長一層氧化層,進行第五次光刻,刻蝕出發(fā)射區(qū),進行磷擴散和砷注人,并退火形成發(fā)射區(qū)。

   金屬接觸和互連

   淀積二氧化硅后,進行第六次光刻,刻蝕出接觸孔,用以實現(xiàn)電極的引出。金屬形成歐姆接觸和互連引線。隨后進行第七次光刻.形成金屬互連。