范圍在1×10ll~5×10121ons/cm2的小劑量注入的均勻性 MAX8655ETN和載流子分布的檢測(cè)方法有二次注人法、MOS晶體管閾值電壓漂移法、脈沖GV法和擴(kuò)展電阻法等。

   幾種方法的比較

   離子注入劑量范圍通常是1011~10161ons/cm2,相當(dāng)于雜質(zhì)濃度范圍為10b~1020lons/cm2。四探針?lè)ㄒ话阌糜?×10⒓o(jì)nst耐以上的劑量范圍,具有快速和簡(jiǎn)便的特點(diǎn)。C―V法可用于l×1011ons幻∥~5×10⒓o(jì)“/cm2的劑量范圍,對(duì)于小劑量注人,是一種比較準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù),如果采用水銀探針,可以大大簡(jiǎn)化樣品的制各。擴(kuò)展電阻法可以覆蓋整個(gè)劑量范圍,但在小劑量下精度不如C亠y法。可以看出,作為離子注人的檢測(cè)技術(shù)來(lái)說(shuō),這3種方法是互相補(bǔ)充的。

   離子注入層中雜質(zhì)原子的分布一般采用中子活化分析、放射性示蹤法、二次離子質(zhì)譜(SIMS)、背散射(RBS)和俄歇電子能譜(AES)等方法檢測(cè).