DIP和PGA封裝引腳是插裝型的,分別封裝MIS和LSI芯片。封裝基板有單層和多層陶瓷基板(通常為A炻03)。PC74HC00T多層陶瓷基板在單層陶瓷基板的基礎上,通過對各層生瓷印制厚膜金屬化漿料(如Mo或W)進行布線,層間用沖孔并金屬化完成互連,然后進行生瓷疊片、層壓、燒結完成多層基板的制作。由于陶瓷中的玻璃成分含量很低,所以只能在高溫(大于1300℃)下燒結,故稱為高溫共燒陶瓷(HTCC)基板。為了安裝集成電路芯片并互連,對基板頂層的金屬化應進行鍍N⒈Au。隨后就是芯片安裝、引線鍵合、封蓋檢漏和成品測試。典型的DIP和PGA的封裝工藝流程如圖143所示。