通常,集成電路芯片的Al焊區(qū)是分布在芯片周邊的.這是為了便于WB和TAB焊接。隨著集成PCF8598C-2-LF度的日益提高,功能的不斷增加,其I//O引腳的Al焊區(qū)數(shù)越來越多(數(shù)百至數(shù)千個),芯片周邊的焊區(qū)尺寸和節(jié)距越來越小,有的還要交錯布局;當焊區(qū)尺寸和節(jié)距均小于40um時,TAB焊接是不成問題的,但WB就十分困難了。于是,I/O數(shù)更高的集成電路芯片周邊焊區(qū)必然要向芯片中心轉(zhuǎn)移,后來就發(fā)展成為焊區(qū)面陣排列的集成電路芯片,如FC那樣。

   ⒛世紀90年代中后期,日本首先開發(fā),而后在全球迅速發(fā)展的CSP多達數(shù)十種,但基本可歸納為以下幾類,即柔性基板CSP、剛性基板CSP、引線框架式CSP、焊區(qū)陣列CSP、微小模塑型CSP、微型

BGA(uBGA)、芯片疊層型CSP、QFN型CSP、BCC和圓片型CSP等。各類CSP競相發(fā)展,特別是在通信領域呈供不應求之勢。尤其是其中的圓片型CsP,因其可在通常制作集成電路芯片的Al焊區(qū)完

成后,繼續(xù)完成CSP的“封裝”制作,使其成本、性能及可靠性等較前幾類具有潛在的優(yōu)勢。至今國際上大型的集成電路封裝公司都紛紛投向這類CSP的研制開發(fā),該封裝稱為圓片級CSP(WLCSP),又

稱為圓片級封裝(WLP)。除MP外,其他各類C叩都須先將一個個C芯片分割后,移至各種載體上對芯片lVB、7出或FCB,最后還要模塑或芯片下填充才可完成C叩的制作過程。模塑既可以是單個模塑,也可以是芯片連接好整體模塑再切割,但都工藝復雜,又不連續(xù),因而成本、質(zhì)量也各不相同。而在集成電路工藝線上完成的CSP,只是增加了重布線和凸點制作兩部分,并使用了兩層BCB或PI作為介質(zhì)層和保護層,所使用的工藝仍是傳統(tǒng)的金屬淀積、光刻、蝕刻技術(shù),最后也無須再模塑等。這與集成電路芯片制作完全兼容,所以,這種WI'P在成本、質(zhì)量上明顯優(yōu)于其他CSP的制作方法。典型WLP的工藝流程如圖1411所示,制作完成的WI'P局部結(jié)構(gòu)如圖1迮-12所示。