微電子工藝課程的設(shè)置通常除了課堂理論教學(xué)之外,實(shí)踐教學(xué)部分也是必不可少的內(nèi)容。在附TA4004F錄A中介紹以雙極型硅平面晶體管制造I藝及參數(shù)測(cè)試為內(nèi)容的微電子生產(chǎn)實(shí)習(xí)。

   主要實(shí)習(xí)內(nèi)容,即晶體管工藝流程為:

   硅片電阻率測(cè)量興→硅片清洗→一次氧化→氧化層厚度測(cè)量艸→光刻腐蝕基區(qū)→硼擴(kuò)散→pll結(jié)結(jié)深測(cè)量失一光刻腐蝕發(fā)射區(qū)一磷擴(kuò)散→光刻引線孔→真空鍍鋁9反刻鋁一合金化→中測(cè)→劃片9上架燒結(jié)→壓焊→封帽→晶體管電學(xué)特性測(cè)量+。

   流程中標(biāo)艸的4個(gè)步驟是對(duì)工藝參數(shù)和晶體管電學(xué)特性的測(cè)試,每個(gè)測(cè)試步驟都可以獨(dú)立地作為工藝課程實(shí)驗(yàn)的內(nèi)容。

   硅片電阻率測(cè)量

   工藝實(shí)習(xí)采用單面拋光、n型、E111晶向、3英寸硅片(使用Vn.~sl外延片更適合,但價(jià)格較體硅片昂貴得多),電阻率在1~3Ω・cm之間。首先觀察硅片外觀是否平整,測(cè)量電阻率。

   電阻率是半導(dǎo)體材料的重要電學(xué)參數(shù),它能反映半導(dǎo)體內(nèi)淺能級(jí)替位雜質(zhì)的濃度。測(cè)量電阻率的方法有多種,如二探針?lè)�、擴(kuò)展電阻法等。而四探針?lè)ㄊ悄壳皬V泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法,它具有操作方便、精度較高、對(duì)樣品的幾何形狀無(wú)嚴(yán)格要求等優(yōu)點(diǎn)。