預先非晶化是一種實現(xiàn)p←結(jié)的比較理想的方法。如在注硼之前,先以重離子高劑量注入,使硅FGH40T120SMD_F155表面變?yōu)榉蔷У谋砻鎸�。這種方法可以使溝道效應(yīng)減到最小,與重損傷注人層相比,完全非晶化層在退火后有更好的晶體質(zhì)量,可采用注人一種不激活的物質(zhì)(如Si÷或Ge←)來形成非晶層。假設(shè)襯底濃度為10Ⅱ atoms//cm3,注人Ge+使硅表面變?yōu)榉蔷?結(jié)深下降大約⒛%,而且二極管的特性沒有發(fā)生變化;如果注人⒏÷使硅表面變?yōu)榉蔷?結(jié)深下降40%左右。實驗發(fā)現(xiàn)用Ge|預先非晶化的樣品比用Sl十預先非晶化的樣品具有更少的末端缺陷和更低的漏電流。也可用Sb+預先非晶化,雖然乩相對于B來說是不同導電類型的雜質(zhì),但用Sb+預先非晶化,比用Ge+預先非晶化所需濃度低一個數(shù)量級,消除缺陷的退火溫度較低,而且由于乩補償尾部的B,可使pn結(jié)更陡。

   預先非晶化的pll結(jié)的漏電流和最終的結(jié)深與退火后剩余缺陷數(shù)量以及結(jié)的位置有關(guān)。預先非晶化注入之后再通過固相外延再結(jié)晶,在再結(jié)晶區(qū)中一般沒有擴展缺陷。但在預先非晶化區(qū)與結(jié)晶區(qū)的界面將形成高密度的位錯環(huán)。這個界面相對于結(jié)區(qū)的位置將決定漏電流的大小和擴散增強的程度。如果界面缺陷區(qū)在結(jié)的附近,那么漏電流和雜質(zhì)的擴散都會增加。