如圖8.20所示,側(cè)墻是一個(gè)用來限定LDr)結(jié)和深源/漏結(jié)寬度的自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。MC908QY4ACPE它的寬度、高度和物理特性,成為等比例縮小CM(E技術(shù)的關(guān)鍵。為了緩解結(jié)等比例縮小趨勢(shì),并不以結(jié)電阻為代價(jià)來減小重疊電容,在柵的側(cè)壁形成了偏移間隔,從90nm CM(EI藝節(jié)點(diǎn)以后,它已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。需要謹(jǐn)慎地平衡偏移間隔和源/漏擴(kuò)展,以避免源到漏的重疊不夠造成的驅(qū)動(dòng)電流損失或者明顯的短溝效應(yīng)。為了在采川偏移問隔CM()SI藝屮得到可以接受的重復(fù)性和參數(shù)離散.偏移問隔寬度的均勻性必須控制在至少小于1nm。更寬的側(cè)墻可以減少短溝效應(yīng),降低側(cè)墻下面的寄生源/漏電阻,并月~更能耐受造成二極管漏電

流加大的NiSi的橫向過生長(zhǎng),或者接觸刻蝕釘子效應(yīng),但它限制F側(cè)埔寬度的縮小,并且對(duì)硅化物的形成和層間介質(zhì)間隙的填充提出丁挑戰(zhàn)。除此之外,在不同圖形尺寸和密度的情況下,側(cè)墻材料沉積保形性較差・也會(huì)對(duì)側(cè)墻的寬度和高度的均勻性產(chǎn)生不良影響。