為了找出無腐蝕的界限,在最差情況(最高可用的透射率晶圓)下探討了聚合物氣體CH1的影響。CH4流速從基數(shù)T增加到3.3T,相應(yīng)的刻蝕終點(diǎn)和腐蝕缺陷的表現(xiàn)總結(jié)在圖8.48中。 M01046正如所預(yù)期的,當(dāng)CH1的流速達(dá)到2.3T時(shí),得到了無腐蝕的結(jié)果。然而,當(dāng)CH1的流速達(dá)到3.3T時(shí),腐蝕缺陷再次出現(xiàn),F組腐蝕缺陷的sEM像顯示在圖8.47(b)。可以明顯地看到在側(cè)壁上積累了過多的聚合物,也可以注意到這種腐蝕缺陷是從剝落的聚合物同鋁墊側(cè)壁的界面處生長出來的。

   這種現(xiàn)象可以歸因于鋁側(cè)壁上過多的聚合物吸附了氯化物,并吸收了空氣中的水分・反過來將鋁墊侵蝕。更高的CH4流速對(duì)應(yīng)更長的刻蝕終點(diǎn)時(shí)間。這表明從聚合物沉積的觀點(diǎn)來說,CH1起著同透射率相類似的作用也就是說,CH1的增加可以補(bǔ)償高透射率情況下缺少的聚合物,所以無腐蝕的窗口依賴透射率和CH4流速的結(jié)合。在上述試驗(yàn)中,CH1流速T對(duì)所有的透射率(7O%的情況己經(jīng)足夠高了,對(duì)于透射率為96.2%的情形,CH4流速被優(yōu)化為2.5T。