在通用器件開發(fā)期閘,硅和鍺P89LPC935FA硅在去膠過程中的損失引起了很大關(guān)注,這個損失主要是由去膠時襯底的再次氧化造成的。高劑量離子注入去膠,在不會對光刻膠和殘余物去除能力有不良影響的前提下,必須考慮硅或者鍺硅襯底的再次氧化問題。此外,灰化氣體比率對⒏N偏差間隔CD的影響也不容忽視。具體地說,襯底再次氧化行為高度依賴于各種灰化I藝參數(shù),如壓力、氣體比率、晶圓支撐銷的位置、在去殼層和過灰化(C)A)步驟中所用的工藝時間。通常,預(yù)熱中的高壓和主灰化步驟的低壓可以有效地預(yù)示硅/鍺硅的損失。較低的02/發(fā)泡氣體的比率,對NMOS和PM()S的襯底展現(xiàn)出不同的影響。少的過灰化時間得到更好的殘余物去除表現(xiàn)。在02/發(fā)泡氣體灰化工藝中,當(dāng)02/發(fā)泡氣體的比率升高時,偏置間隔的CD繼續(xù)收縮,這可以歸囚于siN損失。優(yōu)化的去膠方案可以得到不僅是無殘余物的I藝,而且襯底損失最小。它的好處是由NMC)S和PMOS器件的性能改善所體現(xiàn)的。在32nmェ藝中,為了減少硅的損失,H2基的灰化工藝一直在評估中。