在大規(guī)模集成電路制造中,如晶片L1mm2的區(qū)域,就可制造幾百萬(wàn)顆光學(xué)顯微鏡無(wú)法辨認(rèn)的器件,而各種污染,如顆粒、金屬離子污染、有機(jī)物污染、QT2032-PR7-1A2薄膜污染等,時(shí)刻影響著芯片器件的存活。為獲得最好器件性能、長(zhǎng)期的可靠性和高良率,晶片清洗制程顯得尤為重要。

  晶片清洗是一個(gè)復(fù)雜課題,苜先,大規(guī)模集成電路制造有很多種可能的沾污,幾百步制程中每一步都可貢獻(xiàn)一種或幾種污染;另一方面,隨著器件高度集成化,對(duì)污染的要求更高,防范的范圍更寬,囚此清洗的難度就更大。例如90nm cM()S及以下制程,清洗多達(dá)一二百步,清洗不但要求去除顆粒和化學(xué)污染物,不傷及晶片表面不該傷及的部分,還要求過(guò)程安全、簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)和環(huán)保。

   本章我們將了解微電子制造中遇到的污染類(lèi)型、相關(guān)污染的污染源、污染在集成電路中缺陷反映,各種現(xiàn)用清洗技術(shù),清洗設(shè)各及清洗中用到的測(cè)量設(shè)備。