圖8.58顯示的是基于不定形碳掩膜多晶硅柵刻蝕的前饋控制示意圖。由于最QT2032A2-ES終柵的CD是一個(gè)決定CMOS器件特性的關(guān)鍵參數(shù),它的控制激發(fā)r21世紀(jì)初期APC的應(yīng)用。在過去的十年中,APC在刻蝕領(lǐng)域在無干擾監(jiān)測OCD的輔助下,已經(jīng)擴(kuò)展到淺槽隔離刻蝕、側(cè)墻刻蝕和接觸孔刻蝕�？刂频娜諛�(biāo)包括CD、側(cè)墻角度和深度。幾乎所有的APC應(yīng)用為了實(shí)用,都依賴于單輸人單輸出模式。后道工藝控制至少在65nmェ藝節(jié)點(diǎn)還沒有開始,前饋控制的目的是克服輸人的ADI CD變化或者任何其他的可探測的輸人晶圓的不確定性。如圖8.58所示,簡單的線性關(guān)系可以通過以ADI CD變化和工藝時(shí)間為因素的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法,在任何前四步中得到驗(yàn)證。這種線性關(guān)系可以作為控制算法嵌人到刻蝕機(jī)中,刻蝕機(jī)可以根據(jù)傳來的ADI CD自動(dòng)地優(yōu)化刻蝕時(shí)間,ADI CD可以由獨(dú)立的或者一體化的監(jiān)測機(jī)臺來提供。l'AM公司的導(dǎo)體刻蝕機(jī)從其⒏arT系列就已經(jīng)具備了這樣的功能。除了從ADI CD來的不確定性外,襯底變化的影響,像淺槽高度、AA寬度,也是不容忽 視的。襯底的不確定性引起了主刻蝕時(shí)間和過刻蝕步驟中刻蝕速率的變化,前者關(guān)系到終點(diǎn)曲線探測周期的變化,后者與多晶/氧化物界面的氧化有關(guān)。通過APC,這個(gè)問題可以部分地改進(jìn),因?yàn)闇\槽隔離的高度可以在刻蝕前監(jiān)測到,通過調(diào)節(jié)從主刻蝕到過刻蝕的T藝時(shí)間,便可以執(zhí)行前饋刻蝕控制。由于主刻蝕和過刻蝕步驟的變化,這會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁角度的改變。