晶片有三種污染類型:顆粒污染、薄膜污染、痕量分子或原子污染Lll。顆粒是晶片L出現(xiàn)的任何異常小的材料塊,且與正常圖案相比,有容易識別的形貌。TA7607AP當(dāng)IC制造的特性尺寸縮減,對引起缺陷的顆粒尺寸、數(shù)量的要求也在減少。顆粒來源于潔凈室里人、設(shè)各、傳輸系統(tǒng)、反應(yīng)氣體、清洗液體、制程反應(yīng)室壁脫落、制程過程、潔凈室空氣、晶片盒等。有關(guān)人產(chǎn)生的顆粒,如來自潔凈室服裝、毛發(fā)、皮膚屑脫落、化妝和個人飾品,呼吸也會有較高污染,每次呼吸釋放大量水滴(含鈉)和顆粒到空氣中;設(shè)備在傳輸晶片過程中的接觸或機(jī)械振動,會產(chǎn)生顆粒;膜層沉積時,反應(yīng)氣體中微小顆�？勺鳛榫Ш�,隨膜長大;同樣清洗藥液中的顆粒會吸附于晶片表面等。

   薄膜污染,是指晶片膜層在刻蝕或生長時,受表面污染離子、外來材料、內(nèi)部應(yīng)力等因素的影響,造成外層膜位錯、破壞、變形、變性,進(jìn)而導(dǎo)致后續(xù)制程敗,像時常發(fā)生的光阻與前層對準(zhǔn)(overlay)超差、光阻殘留、清洗時膜層離子粘附、膜層沉積缺陷、膜厚控制錯誤等。液體和氣體化學(xué)品則傾向于形成離子污染和薄膜污染。

   金屬和離子污染是膜層污染的一部分。在晶片濕法刻蝕或清洗時,溶液中的分子或離子粘附晶片表面,在膜層沉積時,污染物沉積于膜層中或在膜層內(nèi)擴(kuò)散,改變膜的特性。晶片清洗污染,是通過化學(xué)品或超純水來清除離子、細(xì)菌、有機(jī)顆粒和無機(jī)殘渣,對于純水中的細(xì)菌,一般用紫外線殺死或把細(xì)菌打破成碎片,隨后過濾去除。