在集成電路制造中,污染無處不在,是個(gè)不可忽視的因素,因?yàn)樗鼈儠?huì)損害芯片的質(zhì)量、 TC4S66F降低芯片的效能。據(jù)估計(jì)5O%良率損失來源于污染。污染對(duì)半導(dǎo)體器件的影響很復(fù)雜,因此針對(duì)不同的污染,采取不同的應(yīng)對(duì)措施。

   顆�？赡芾喂痰鼐o縛于晶片表面,在膜層沉積時(shí)共生,成為掩埋缺陷;顆�？梢鸶鞣N制程操作的障礙或形成幕罩。例如,顆粒妨礙離子植人或干擾光刻圖案的正常曝光。在刻蝕時(shí),顆粒阻斷光刻圖案向膜層圖案的轉(zhuǎn)移;在制程的后段部分(金屬內(nèi)連接),顆粒能引起導(dǎo)線的斷開和臨近線的導(dǎo)通,如圖9,1所示。當(dāng)集成電路制造的線寬微縮到40nm以下,很小尺寸的顆粒都會(huì)導(dǎo)致IC的失敗,最小顆粒尺寸的要求仰仗于顆粒所處的區(qū)域和該區(qū)域的器件特征尺寸。一般講,顆粒尺寸如果超過器件最小特征尺寸的50%,就有導(dǎo)致器件失效的可能。