低溫噴射顆粒去除是一種非濕法清洗技術(shù),它是惰性氣體(如氬氣,二氧化碳)的低溫冷凍微粒以高速(100m/s)噴射到晶面上,低溫微粒剝離晶片上的顆粒是通過下面兩種機(jī)理:①動(dòng)能以高速低溫微粒傳遞到晶片顆粒上;S912XDP512F0MA②當(dāng)?shù)蜏匚⒘＝佑|基體,開始升華,并吸收基體大量熱量,使基體瞬間冷卻,顆粒與基體間膨脹系數(shù)差產(chǎn)生一個(gè)機(jī)械張力,當(dāng)這種張力大于顆粒的粘附力時(shí),就會(huì)促使顆粒的剝離,一旦剝離發(fā)生,平行晶片表面的高速氣體流就會(huì)帶走顆粒[lO]。低溫微粒升華法去除顆粒與一般方法比,不會(huì)對(duì)硅或氧化硅造成損傷,大于0.15um的顆粒去除率可達(dá)99%,另外制程又環(huán)保。