這里講的沉積膜,是指爐管和化學(xué)氣相沉積(CVD)方法根據(jù)制程要求所生長的膜。S912XDP512F0VAG在膜沉積前后,需要對晶片表面進(jìn)行清洗,以避免污染在制程間傳遞和惡化,特別是制程推進(jìn)到65nn1以下,這種清洗尤其重要。膜層沉積前,晶片保存在無塵室的晶片盒里,但無塵室有等級之分,即便等級1的無塵室,也免不了環(huán)境中有機(jī)物氣體和微小顆粒的影響,再加上上道制程渚如離子、分子、顆粒等帶下來的污染。有機(jī)物覆蓋的地方會影響膜層的正常生κ;細(xì)小顆粒會隨著膜層生長,成為大的顆�；蚴鼓油黄�;金屬離子則在高溫下,在膜層中擴(kuò)散,對膜層的電阻率、隔離等品質(zhì)造成影響。因此這些有害因子,在膜層沉積前,必須加以去除。沉積后的膜,如果表面有顆粒存在,后道若是刻蝕,會阻擋刻蝕的深入進(jìn)行;若是曝光,會影響圖案形態(tài);若是化學(xué)機(jī)械研磨,會造成膜層刮傷等;岡此,對膜層沉積后的晶片,需盡可能地清除可能的污染.