常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美國廣播公司)的Kern和Puotincn于1970年發(fā)布,S912XDP512J1CAG一直沿用至今。其特點有兩步:①標準清洗液1(SC1)清洗,是氨水、雙氧水和水的混合物,主要去除有機物膜污染、金屬(如金Au,銀Ag,銅Cu,鎳Ni,鎘Cd,汞Hg等)、顆粒。②標準清洗液2(SC2)清洗,是鹽酸、雙氧水和水的混合物,功能是去除無機物、一些堿金屬和重金屬:l1。

   雖然RCA清洗很有效,但由于新制程的特殊需求,還需加入新的內容和不同處理組合,以達成不同的需求。常用的有序組合有:①單獨使用RCA清洗;②硫酸雙氧水混合物(SPM)~)稀釋氫氟酸(DHF)―>RCA清洗;③硫酸雙氧水混合物(SPM)―)RCA清洗等。詳解如下:

   (1)有機物污染的去除(SPM):普遍使用的去除劑是sPM(98%H2s01和31%H'02的混合物),也叫Piranha dean,比例(2~8):l,溫度120~280℃.對有機物一般有很強的去除能力。由于SPM黏度較大,冷水沖洗效率低,處理后常用熱水(60~80℃)沖洗。

   (2)氧化硅膜去除(稀HF):多用于硅晶片清洗。制程第一步SPM去除有機物后,晶片由于高溫sPM的強氧化作用,表面會生成一層氧化膜;第二步氧化硅膜去除起初使用高濃度HF去除,如HF:H20比例為1:10、卜50或1:100。現(xiàn)今普遍使用更稀的HF,如HF:H20比例為1:200、卜300或1:1000以上。溶液溫度為室溫。氧化硅膜隨著稀HF的溶解,顆粒和離子污染一并去除,這時的硅表面非常潔凈,只有S←H鍵,ml且表面是疏水性。這樣的表面有很強的活性和不穩(wěn)定性,易吸附污染(顆粒、金屬)和被氧化。囚此,對于H,last的表面處理,首先要快速進人下一道制程,控制兩道制程間的時間(Q time);或者把晶片盒存放在氮氣柜里或超凈環(huán)境加以保護。