主流AlCMP一般采用工步研磨法(見(jiàn)圖11.25): QL8X12B-OPF100C

   第一步:采用研磨粒為之氧化二鋁(A1()3)的研磨液,去除大部分Al金屬層,留下薄而均勻的Al金屬層((10OOA)。

   第二步:采用同樣的研磨液,用較低的壓力去除剩余的薄而均勻的Al金屬層。

   第三步:采用同樣的研磨液,用較軟的研磨墊去除金屬阻擋層。

   在二步研磨法中,如何控制Al金屬層和介電層(si()2)的表面不平整性以及如何降低研磨中所產(chǎn)生的缺陷,是A1CMP的核Jb部分。Al CMP在研磨中所產(chǎn)生的缺陷主要包括表面劃痕、腐蝕及點(diǎn)缺陷(pits),這些缺陷與A1CMP所采用的Al的沉積方式、沉積溫度、摻雜濃度、AlCMP制程中所使用的研磨液及研磨墊、研磨液供應(yīng)系統(tǒng)和管線的清潔程度都有很強(qiáng)的關(guān)聯(lián)性。