直接在Si上沉積高乃介質(zhì)會(huì)導(dǎo)致電子遷移率的降低,因此在Si和高慮介質(zhì)問引人一個(gè)界面層,如⒏O2「33]。這個(gè)界面層要求致密和均勻,便于高乃介質(zhì)膜的生長。 W134SH在高芡介質(zhì)沉積之前,濕法生成一層化學(xué)氧化膜,是通用方法之一。為了獲得sub nn1等同氧化物厚度(EOT),該自然氧化層厚度等于或小于0.8nm,也就是要求,一個(gè)制程可提供的白然氧化厚度低于飽和自然氧化層厚度(1.1~1,2nm)。以下是I業(yè)界一些不同研究方法:①dHF→SC1→SC2,②dHF/HCl一⒌)1→SC2,④dHF/HCl今03,①爐管氧化和dHF回刻蝕。在這些方法中,dHF/HC卜03可提供致密、均勻和高遷移率的化學(xué)氧化膜,如圖9.15[3r所示。

   界面層厚度可由低濃度臭氧的Di()3(如1ppm)水制程時(shí)間控制L371。囚而,這種方法在學(xué)術(shù)界比較受重視。