在CMOS的制程中,多晶硅柵極的N型和P型是利用多晶硅的厚度,離子置人(implant)和熱制程(thermal)進(jìn)行調(diào)整。然而隨制程演進(jìn)對超淺結(jié)的要求減少了相當(dāng)多的制程,R05107ANP-011若柵極摻雜的濃度沒有控制好,柵極和氧化層的接口將發(fā)生摻雜濃度不夠的問題,而在M()S操作時在柵極內(nèi)生成額外的電容(juncti°n capacitancc),這將導(dǎo)致M(瀉的有效氧化層厚度增加而降低效能。這現(xiàn)象叫做Poly depleti°n。伴隨高介電材料(high乃)自勺使用引人了金屬柵(mctal gate)。金屬柵不會發(fā)生Polydepletion的問題,然而在材料的選擇對功函數(shù)的考慮十分重要,必須要能兼顧N型和P型MOS的要求,不然在CM()S的匹配性上就會發(fā)生問題,反而不能提升器件的效能。