隨著集成器件尺寸的縮小和金屬線數(shù)量的增多,由金屬互連結(jié)構(gòu)的寄生效應(yīng)引起的嚴(yán)重的RC延遲成為130nm及其以下技術(shù)中限制信號傳輸速率(頻率)的主要岡素。lKl此,采用低霪材料做介質(zhì)成為發(fā)展的方向。QAMI5516采用慮值越來越低的低乃材料(低=2.5~2.7)或超低慮材料(UI'K:乃(2.5),也給CMP帶來新的挑戰(zhàn)。 一方面低慮材料具有高度的多孔性及低硬度的性質(zhì),在拋光巾容易發(fā)牛裂縫及離的問題。這要求CMP向低壓力的方向發(fā)展。一般在15nm及以下的技術(shù)中,拋光壓力要求在5psi以下。有一種E CMP的技術(shù)就是用來應(yīng)對低壓力的挑戰(zhàn)的,但是E CMP在缺陷及其他方面遇到了一些瓶頸問題。目前傳統(tǒng)的研磨液拋光技術(shù)仍然是CMP的主流。另一方面對于低虍材料,由于它的多孔性,拋光時(shí)會對它造成損害,引起慮值的變化。一般來說,采用堿性的研磨液或清洗液,慮值的變化較大;采用酸性的研磨液或清洗液,泛值的變化較小。慮值變化的問題,可通過拋光后的一些處理T藝得到解決。