金屬硅化物(salicide)使用在柵極、源極和漏極上,可有效降低MOs的串聯(lián)電阻,并進一步增加MOS操作的速度。在Q。25um以上的制程是以Ti salicide為主,90n”以上的技術(shù)節(jié)點使用Co salicide,65nm以下則轉(zhuǎn)成Ni salicidc。 R0600001R/H000GFA這些材料的轉(zhuǎn)換主要是降低salicide阻值和減少在小線寬柵極上缺陷的雙重考慮。

   多重連導(dǎo)線

  早期的芯片的運作速度是受MOS的速度的限制,然雨j隨著M()S速度的提升和尺寸的縮小,金屬導(dǎo)線間的交互影響(cou1)ling capacitancc)已開始大幅影響集成電路的速度(Fig),銅導(dǎo)線和低介電常數(shù)材料(low乃)的使用盡管已大幅降低金屬導(dǎo)線制程的RC

delay,然而如何使用介電常數(shù)更低的材料(ultm―low慮)來減少其刈速度的影響也還是目前先進制程最重要的課題之一。多重連導(dǎo)線(Interc°nnect)對RC delay的影響如圖12.4所示。