要制造出淺而且濃的結(jié)需要許多制程的相互配合.首先需要低能童高濃度的雜質(zhì)摻入技術(shù)。R05E05通過低能量離子置入(low cnergy implan0和較重摻雜元素(species)的選用把摻雜物送到離晶面較淺的位置;冉加上高速的退火技術(shù)讓摻雜物盡快被激活(activated),沒能進行長程的擴散行為。近來制程的演進對退火速度的要求很高,從爐管退火到RTA(rapidthermal anneal)soak anneal。冉到spikC anneal,現(xiàn)在在10nm已用到快閃退火(flashameal)或雷射退火(laser anncal)。越是快速短暫的高溫退火,越能造出淺而低阻值的超淺結(jié)。

   運用這些超淺結(jié)技術(shù)時,還必須照顧到漏電流(junction kakage)和電容(junctioncapacitance)。高的漏電流對芯片功耗有負面的影響,而高的電容將減緩芯片操作的速度。