在芯片的隹產(chǎn)流程中,一般需要經(jīng)過多道測試,如圓片測試、老化測試、封裝后測試TC74VHC244F、質(zhì)檢測試等。}產(chǎn)測試(producti°n tcst)側(cè)重好壞分類、性能分級、成本控制、質(zhì)董提升,依照芯片實際好壞以及測試好壞,叮以有以下四種結(jié)果:

   (l)芯片好.測試好:測試結(jié)果正確,此即產(chǎn)品良率。

   (2)芯片壞,測試壞:測試結(jié)果正確.稱不良率。

   (3)芯片好,測試壞;測試結(jié)果不正確,此即產(chǎn)品的良率損失,稱為誤殺(ovcr kiII)。

    芯片壞,測試好:測試結(jié)果不l卜確.此即產(chǎn)品質(zhì)量損失,稱為誤放ndcr kill3.失效分析測試對于被測試判定失效、客∫、’退返或冖r靠性不良的、占片.必須進行失效分析測試。以類失效原丨矧皂性能退化、缺陷、電過載(Elcctrical()ver S1ress.E()s)、靜電損傷(Elcctro`tatic Danlagc。ESI丿Ⅱ或其他/趕效分折測試的電性結(jié)果將會提供給物理失效分析作參考和依據(jù)。

   電參數(shù)測試(parametric test)

   分為汽流參數(shù)(I)C pammc1ers)和交流參數(shù)(AC paran1etcrs)。直流參數(shù)測試有開∷短路測試.漏電流測試.電源電壓/電流測試;交流參數(shù)包括頻率,上升/下降時間(rise/falltime).設(shè)定維持時問(sctup/hold timc)等。