光刻Track系統(tǒng)的仿真實(shí)驗(yàn)
發(fā)布時(shí)間:2017/12/5 21:22:23 訪問次數(shù):1425
光刻區(qū)又稱為黃光區(qū),是半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的加工步驟,使用的設(shè)備極其昂貴。光NE555DT刻目的是將光刻膠涂到晶圓表面后,使用受控的光線進(jìn)行曝光,在晶圓表面形成所需的圖形。實(shí)際上,光刻工藝是一系列工序的組合,包括涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜等8個(gè)工序。涂膠/顯影設(shè)備(Coatc〃D田e1opcr Track)是用來完成光刻的一系列加工設(shè)備的組合,是一種典型的多集束型裝各,也被稱為Track系統(tǒng)。該系統(tǒng)首先對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)處理、涂膠、甩膠、烘干,然后用機(jī)械手將涂膠的晶圓送入對(duì)準(zhǔn)及曝光設(shè)各。步進(jìn)光刻機(jī)(steppcr)用來將晶圓和管芯圓形陣列對(duì)準(zhǔn)。在恰當(dāng)?shù)貙?duì)準(zhǔn)后,步進(jìn)光刻機(jī)先曝光晶圓上的一小片面積,然后步進(jìn)到硅片的下一塊區(qū)域并重復(fù)上述的步驟,直到在晶圓表面完成所有的曝光為止。 完成后,硅片回到涂膠/顯影設(shè)備對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影,隨后清洗晶圓并再次烘干。
光刻區(qū)又稱為黃光區(qū),是半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的加工步驟,使用的設(shè)備極其昂貴。光NE555DT刻目的是將光刻膠涂到晶圓表面后,使用受控的光線進(jìn)行曝光,在晶圓表面形成所需的圖形。實(shí)際上,光刻工藝是一系列工序的組合,包括涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜等8個(gè)工序。涂膠/顯影設(shè)備(Coatc〃D田e1opcr Track)是用來完成光刻的一系列加工設(shè)備的組合,是一種典型的多集束型裝各,也被稱為Track系統(tǒng)。該系統(tǒng)首先對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)處理、涂膠、甩膠、烘干,然后用機(jī)械手將涂膠的晶圓送入對(duì)準(zhǔn)及曝光設(shè)各。步進(jìn)光刻機(jī)(steppcr)用來將晶圓和管芯圓形陣列對(duì)準(zhǔn)。在恰當(dāng)?shù)貙?duì)準(zhǔn)后,步進(jìn)光刻機(jī)先曝光晶圓上的一小片面積,然后步進(jìn)到硅片的下一塊區(qū)域并重復(fù)上述的步驟,直到在晶圓表面完成所有的曝光為止。 完成后,硅片回到涂膠/顯影設(shè)備對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影,隨后清洗晶圓并再次烘干。
熱門點(diǎn)擊
- 觸電對(duì)人體的危害主要有電傷和電擊兩種
- 經(jīng)時(shí)介電層擊穿(TDDB)
- 背散射電子
- Voltage Contrast電壓襯度
- 二次電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)的變化不大
- 打線鍵合(Wire Bc,nd)
- 電壓襯度(voltage contraCt
- 車間調(diào)度分類
- 氮化硅HF/EG濕法刻蝕
- 失效分析基本原則
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
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- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
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