本檢查主要是用非破壞性的方法檢測(cè)封裝口及封裝內(nèi)的缺陷,特別是密封工藝引起的缺陷和諸如多余物、錯(cuò)誤的內(nèi)引線(xiàn)連接、芯片附著材料中的或采用玻璃密封時(shí)玻璃中的空洞等內(nèi)部缺陷。對(duì)樣品進(jìn)行X射線(xiàn)檢查,ACF451832-153-T可以很好地了解元器件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)缺陷。還可以用X射線(xiàn)照相進(jìn)行輔助性檢查。

   常用于檢測(cè)產(chǎn)品的無(wú)損探傷技術(shù)主要有X射線(xiàn)和超聲。相比之下,X射線(xiàn)對(duì)缺陷損傷做快速精確探測(cè)分析具有直觀、方便等優(yōu)點(diǎn)。

   x射線(xiàn)照相的標(biāo)準(zhǔn)主要有GJB548方法⒛12、GJB128方法⒛76、GJB36o方法2⒆,它們給出了檢驗(yàn)的方法判據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)。元器件X射線(xiàn)照相根據(jù)產(chǎn)品要求一般分為常規(guī)分組和DPA分組。幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)主要是針對(duì)不同的元器件種類(lèi)進(jìn)行了規(guī)定和說(shuō)明,試驗(yàn)方法基本一致,只是在檢查放大的倍數(shù)范圍有所不同,觀察的元器件側(cè)重點(diǎn)也有所不同。