露點溫度測試法
發(fā)布時間:2019/5/20 20:52:18 訪問次數(shù):2724
露點溫度測試法
在MIL-883和MIL-750中還規(guī)定了另外一種檢測方法――露點溫度測試法,屬于無損檢測。E2023NL露點檢測是利用器件的內(nèi)部水汽發(fā)生凝露時,被測器件芯片表面的電導(dǎo)或表面漏電流將發(fā)生突變這一原理來實現(xiàn)的。其測量方法如下:將被測器件置于能使溫度從指定的高溫(約硐℃)到“℃之間變化的溫度循環(huán)試驗箱內(nèi),并給預(yù)先選定并由反向PN結(jié)隔離的兩條電極加上規(guī)定的反向偏置。在試驗箱的溫度從指定的高溫下降至65℃的過程中,連續(xù)監(jiān)測和記錄被測器件的反向漏電流和溫度,并在相應(yīng)的坐標(biāo)紙上描繪出被測器件的反向漏電流F隨溫度r的變化曲線。如果在降溫過程中,被測器件的內(nèi)部水汽發(fā)生了凝露,曲線上將有突變的露點峰出現(xiàn)。根據(jù)露點峰的起始位置,就可確定被測器件內(nèi)部的露點溫度(簡稱露點或DP)。
圖⒋52所示為測試過程內(nèi)部水汽發(fā)生凝露過程的典型曲線。在降溫的初始階段,內(nèi)部水汽還未發(fā)生凝聚,被測器件芯片表面比較干燥,所測量的漏電流主要由隔離二極管的固有反向漏電流組成,因此,r隨Γ的降低而近似指數(shù)減小,如圖⒋52曲線a段所示。由于被測器件內(nèi)部氣氛的相對濕度RH值會隨Γ的降低而增大,所以,Γ的下降有可能使RH的值增大至100%,即內(nèi)部水汽壓達(dá)到飽和,此時內(nèi)部水汽壓開始凝露。落在被測器件芯片表面的凝露水與雜質(zhì)離子一起形成附加的漏電流通道,使r值突然增大,曲線由下降轉(zhuǎn)為上升,見圖⒋52曲線b段所示。若溫度繼續(xù)下降,己凝露的水將變成固態(tài)的冰,r反而減小,曲線便曲上升又轉(zhuǎn)為下降,見圖⒋52曲線c段所示。這樣,曲線的撫兩段形成一個隆起的突變峰,稱為露點峰,它是被測器件在測試過程中內(nèi)部水汽發(fā)生了凝聚的主要標(biāo)志。ab兩段之間的拐
點D是凝露的起始點,它所對應(yīng)的溫度即是被測器件的露點(DP)。實現(xiàn)露點檢測必須解決幾個技術(shù)關(guān)鍵:防止被測器件外表面凝露、使被測器件內(nèi)表面充分解吸附、確保內(nèi)部水汽在被測器件內(nèi)部的芯片上優(yōu)先凝露。
露點溫度測試法
在MIL-883和MIL-750中還規(guī)定了另外一種檢測方法――露點溫度測試法,屬于無損檢測。E2023NL露點檢測是利用器件的內(nèi)部水汽發(fā)生凝露時,被測器件芯片表面的電導(dǎo)或表面漏電流將發(fā)生突變這一原理來實現(xiàn)的。其測量方法如下:將被測器件置于能使溫度從指定的高溫(約硐℃)到“℃之間變化的溫度循環(huán)試驗箱內(nèi),并給預(yù)先選定并由反向PN結(jié)隔離的兩條電極加上規(guī)定的反向偏置。在試驗箱的溫度從指定的高溫下降至65℃的過程中,連續(xù)監(jiān)測和記錄被測器件的反向漏電流和溫度,并在相應(yīng)的坐標(biāo)紙上描繪出被測器件的反向漏電流F隨溫度r的變化曲線。如果在降溫過程中,被測器件的內(nèi)部水汽發(fā)生了凝露,曲線上將有突變的露點峰出現(xiàn)。根據(jù)露點峰的起始位置,就可確定被測器件內(nèi)部的露點溫度(簡稱露點或DP)。
圖⒋52所示為測試過程內(nèi)部水汽發(fā)生凝露過程的典型曲線。在降溫的初始階段,內(nèi)部水汽還未發(fā)生凝聚,被測器件芯片表面比較干燥,所測量的漏電流主要由隔離二極管的固有反向漏電流組成,因此,r隨Γ的降低而近似指數(shù)減小,如圖⒋52曲線a段所示。由于被測器件內(nèi)部氣氛的相對濕度RH值會隨Γ的降低而增大,所以,Γ的下降有可能使RH的值增大至100%,即內(nèi)部水汽壓達(dá)到飽和,此時內(nèi)部水汽壓開始凝露。落在被測器件芯片表面的凝露水與雜質(zhì)離子一起形成附加的漏電流通道,使r值突然增大,曲線由下降轉(zhuǎn)為上升,見圖⒋52曲線b段所示。若溫度繼續(xù)下降,己凝露的水將變成固態(tài)的冰,r反而減小,曲線便曲上升又轉(zhuǎn)為下降,見圖⒋52曲線c段所示。這樣,曲線的撫兩段形成一個隆起的突變峰,稱為露點峰,它是被測器件在測試過程中內(nèi)部水汽發(fā)生了凝聚的主要標(biāo)志。ab兩段之間的拐
點D是凝露的起始點,它所對應(yīng)的溫度即是被測器件的露點(DP)。實現(xiàn)露點檢測必須解決幾個技術(shù)關(guān)鍵:防止被測器件外表面凝露、使被測器件內(nèi)表面充分解吸附、確保內(nèi)部水汽在被測器件內(nèi)部的芯片上優(yōu)先凝露。
熱門點擊
- 選擇芯片
- 同樣功耗下使用低壓大電流比高壓小電流要安全得
- 對標(biāo)硅的理解
- 制樣鏡檢適用性的拓展
- 利用苯環(huán)上給電子基團(tuán)
- 樣品檢查一般要求
- 航天器的空間熱環(huán)境主要是指冷黑和太陽輻照環(huán)境
- 內(nèi)部目檢的判據(jù)由相應(yīng)產(chǎn)品的參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范
- 露點溫度測試法
- 濕熱試驗標(biāo)準(zhǔn)
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 最新一代600V超級接面MOSFET KP3
- 業(yè)界新品1700V碳化硅MOS
- 新一代光纖通信200Gbps
- 業(yè)界首款2000W高瓦數(shù)電源方
- IMC302A搭配IPM模塊應(yīng)用探究
- 低功耗入墻式 AP 系列射頻前
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究